유리半導體 Ge-Sb-Se系의 電子的 및 光學的 特性 = Electrical and Optical Properties of Glassy Semiconductor Ge-Sb-Se System
저자
발행기관
학술지명
韓國生活科學硏究院 論叢 (Journal of Korean Research Institute for Better Living)
권호사항
발행연도
1990
작성언어
Korean
KDC
335.000
자료형태
학술저널
수록면
29-34(6쪽)
제공처
소장기관
3성분계 유리 반도체 Ge_(40-x)Sb_xSe_60(x=0, 8, 12, 18, at.%)박막 시료를 thermal evaporation 방법에 의해 제작한 다음 직류 전기 전도도, 광 전기 전도도, 광 흡수도를 측정하였다.
X-선 회절 실험에 의해 각 시료는 비정질임이 확인되었다.
직류 전기 전도도는 173K∼423K 온도 범위에서, σ=σ_0 exp(-△Ea/KT)에 따르는 band전도가 지배적이며, 그 값은 1.0×10 exp (-7)∼2.1×10(Ω^-1 ㎝^-1)로 나타난다. Ge_32Sb_8Se_60시료가 가장 높은 직류 전기 전도도를 보인다.
각 시료의 활성화 에너지 △Ea는 0.29∼0.67eV이며, Ge_32Sb_8Se_60시료가 가장 낮은 활성화 에너지를 보인다. 이로서 활성화 에너지가 낮을수록 전도가 잘 일어남을 알 수 있다.
광 전기 전도도는 8.29×10 exp (-4)∼2.76×10 exp (-1)(Ω^-1 ㎝^-1)이며, Ge_32Sb_8Se_60시료가 가장 높은 광 전기 전도도를 보인다. 이로서, Ge_32Sb_8Se_60시료가 가장 많은 D^-결함을 가지는 것으로 추정된다.
광학적 에너지 갭은 0.77eV∼1.13eV이며, 광학적 에너지 갭과 활성화 에너지의 차는, 조성비에 관계 없이 0.45∼0.48eV로서 거의 일정하다.
D.C. electrical conductivity, optical absorption, and photoconductivity experiments on glassy semiconductor Ge_(40-x)Sb_xSe_60, for which X concentrations are 0, 8, 12, 18 at% are investigated.
By the results of X-ray diffraction experiment, it was convinced that all samples were confirmed as amorphous semiconductor.
Over the temperature range from 173K to 423K, the D.C. conductivities of the investigated samples are the form of σ=σ_0 exp(-△Ea/KT) and the values are 1.0×10 exp (-7)(Ω^-1 ㎝^-1)-2.1×10(Ω^-1 ㎝^-1). The sample of Ge-Sb-Se has the highest value in D.C. conductivity.
The activation energies of the investigated samples are 0.29-0.67(eV) and the lowest value is appeard in Ge_32 Sb_8 Se_60 firm.
The photoconductivities of the samples are 8.29×10 exp (-4)-2.76×10 exp (-1)(Ω^-1 ㎝^-1).
The optical energy gaps of the samples are 0.77-1.13(eV). It is shown that the value of difference Eg(the optical energy gap)-Ea(the activation energy) is independent of the compositions.
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