CdS/Cu_2s異種接合의 製作 및 熱處理效果 = Fabrication of CdS/Cu_2S Heterojunction and It's Heat Treatment Effect
저자
金榮咸 (Department of Physics, Dongguk University) ; 李基善 (Korea Institute of Energy and Resources)
발행기관
학술지명
材料科學硏究所 論文集(Journal of the materials science research institute)
권호사항
발행연도
1982
작성언어
Korean
KDC
602.000
자료형태
학술저널
수록면
63-69(7쪽)
제공처
소장기관
眞空蒸着 및 浸淸方法에 의한 CdS/Cu_2S 太陽電池의 製作에 있어 carrier 포획층인 CdS薄膜 및 光吸收層인 Cu_2S層의 形成條件과 接合形成 후의 熱處理條件等을 調査하였다.
CdS薄膜 蒸着時의 基板溫度는 180℃ 程度가 적당하였고, Cu_2S層의 형성은 PH 4의 CuCl 溶液에 약 5초간 浸淸하는 것이 最適이었다. Cu_2S層 形成後의 熱處理는 190℃의 溫度에서 10∼30分間 實施하는 것이 적당하였다.
In fabricating the CdS/Cu_2S solar cells by vacuum evaporation and dipping method, the optimum conditions for forming CdS thin film as a carrier collection layer and Cu_2S layer as a light absorption layer, as well as the optimum heat treatment condition after formation of Cu_2S layer, have been investigated. The optimum substrate temperature was about 180℃ when depositing CdS thin film, and the best Cu_2S layer was obtained by dipping CdS thin films into CuCl solution of PH 4 for about 5 seconds. Also the best results was obtained when the fabricated junction was heat treated at 190℃ for 10∼30 minutes.
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