Device Wafer의 종점 전후에 있어서 광역평탄화 특성에 관한 연구 = A Study on the Global Planarization Characteristics in End Point stage for Device Wafers
저자
발행기관
학술지명
生産技術硏究所論文集(Journal of Research Institute of Industrial Technology)
권호사항
발행연도
1996
작성언어
Korean
KDC
530.9
자료형태
학술저널
수록면
117-123(7쪽)
제공처
소장기관
화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 반도체 제조에서 다층구조의 평탄화에 널리 이용되고 있다. 그러나, 패턴의 형상·물질 차이, 여러 가지 가공 변수와 아직 확립되지 않은 실제 가공 모델링 등으로 인하여 완전한 평탄화를 얻기는 쉽지 않다.
본 논문에서는 에치 백 방법 대신 메탈(텅스텐) 폴리싱에 따르는 절연산화막의 평탄화를 실현하였다. CMP 가공동안의 패턴 형상 평가는 AFM을 사용하였다. AFM 평가는 다른 일반적인 평탄도 측정에 비해서 미소 측정에 상당히 효과적이었다. 더불어 평탄화 특성 분석과 CMP 모델링 확립에 크게 기여할 것이다.
Chemical mechanical polishing (CMP) has become widely accepted for the planarization of multi-interconnect structures in semiconductor manufacturing. However, perfect planarization is not so easily achieved because it depends on the pattern sensitivity, the large number of controllable process parameters, and the absence of a reliable process model, etc.
In this paper, we realized-the planarization of deposited oxide layers followed by metal (W) polishing as a replacement for tungsten etch-back process for via formation. Atomic force microscope (AFM) is used for the evaluation of pattern topography during CMP. As a result, AFM evaluation is very attractive compared to conventional methods for the measurement of planarity. Moreover, it will contribute to analyze planarization characteristics and establish CMP model.
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