KCI등재
SCI
SCIE
SCOPUS
Comparative Study of Various Pixel Photodiodes for Digital Radiography: Junction Structure, Corner Shape and Noble Window Opening
저자
강동욱 (한국과학기술원 원자력 및 양자공학과) ; Minsik Cho (KAIST) ; 이대희 (한국과학기술원) ; Hyunjun Yoo (KAIST) ; 김명수 (한국과학기술원) ; Jun Hyung Bae (KAIST) ; Hyoungtaek Kim (KAIST) ; Jongyul Kim (KAIST) ; 김현덕 (한국과학기술원) ; 조규성 (한국과학기술원)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2012
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
1413-1418(6쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
Recently large-size 3-Tr active pixel CMOS image sensors have been being used for medium-size digital X-ray radiography such as dental CT, mammography and NDT for consumer products. We designed and fabricated 50 um x 50 um 3-Tr test pixels having a pixel photodiode with various structures and shapes using TSMC 0.25 um standard CMOS process to compare their optical characteristics. The pixel photodiode output was continuously sampled while a test pixel was continuously illuminated by 550 nm light at a constant intensity. The measurement was repeated 300 times for each test pixel to obtain reliable results on the pixel output mean and variance at each sampling time. The sampling rate was 50 kHz and the reset period was 200 msec. To estimate the conversion gain, the mean-variance method was used. From the measured results, the n-well/p-substrate photodiode showed the best performance at a low illumination condition equivalent to typical X-ray signal range among 3 photodiode structures available in a standard CMOS process. Quantum efficiencies of n+/p-well, n-well/p-substrate, and n+/p-substrate were 18.5 %, 62.1 %, and 51.5 %, respectively. From the comparison of pixels with rounded and rectangular corners, we found that rounded corner structure could reduce the dark current in large-size pixels. A pixel with four rounded corners showed the reduced dark current of about 200 fA compared to a pixel with four rectangular corners in our pixel sample size. Photodiodes with round p-implant openings showed about 5 % higher dark current, but about 34 % higher sensitivities than the conventional photodiodes.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | SCI 등재 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.47 | 0.15 | 0.31 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.26 | 0.2 | 0.26 | 0.03 |
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