아지드기를 포함하고 있는 수용성 포토레지스트 합성 및 리소그래피 성능 평가
저자
발행사항
대전: 忠南大學校 大學院, 2023
학위논문사항
학위논문(석사)-- 忠南大學校 大學院: 고분자공학과 고분자공학 전공 2023. 2
발행연도
2023
작성언어
한국어
DDC
668.9 판사항(22)
발행국(도시)
대전
기타서명
Synthesis of water-soluble photoresist containing azide group and evaluation of lithography performance
형태사항
50 p.: 삽화; 26cm.
일반주기명
지도교수:최재학
충남대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
2021학년도부터 인쇄본은 소장하고 있지 않습니다.
참고문헌: p. 44-47
UCI식별코드
I804:25009-200000657040
소장기관
본 연구에서는 azide 작용기를 갖는 감광성 물질을 합성하여 자체감광성 및 수용성 포토레지스트를 제조하였다. 또한 고유의 수용성을 부여하기 위해 저분자량의 PVA 10wt%에 용해시킨 후 인산을 첨가하여 중합하였다. 이온 교환 수지를 통해 인산을 제거한 후 PVA-ARBB 고분자를 중합하고 물을 용매로 사용하여 포토레지스트를 제조하였다.
I-Line(365nm) UV 광 조사로 PVA-ARBB의 포토리소그래피 성능을 평가하여 네거티브 3μm 패턴이 형성되었음을 확인하고 시판 포토레지스트인 PVA-SBQ와 포토리소그래피 성능을 비교하였다.
콘트라스트 커브 결과 PVA-ARBB와 PVA-SBQ의 최소 노출선량은 각각 6.00 mJ/cm2와 7.00mJ/cm2이었다. PVA-ARBB의 감광도가 더 좋은 것을 확인하였다. 또한, 패턴의 단차를 측정한 결과, PVA-ARBB와 PVA-SBQ의 단차는 각각 600nm와 300nm로 PVA-ARBB의 내식각성이 더 좋은 것을 확인할 수 있었다.
합성된 PVA-ARBB 고분자는 365nm UV 광에 대한 높은 감도와 우수한 스텝 커버리지로 인해 디스플레이용 초고해상도 포토레지스트에 적합하다.
In this study, a photosensitive material having an azide functional group was synthesized to prepare a self-photosensitive and water-soluble photoresist. In addition, in order to give its own water solubility, it was dissolved in 10wt% PVA with a low molecular weight and then phosphoric acid was added and polymerized. After removing phosphoric acid through ion exchange resin, PVA-ARBB polymer was polymerized, and a photoresist was prepared using water as a solvent
I-Line (365nm) UV light irradiation evaluated the photolithography performance of PVA-ARBB, confirmed that a negative 3μm pattern was formed, and compared the photolithography performance with PVA-SBQ, a commercial photoresist.
As a result of the contrast curve, the minimum exposure doses of PVA-ARBB and PVA-SBQ were 6.00 mJ/cm2 and 7.00mJ/cm2, respectively. It was confirmed that the light sensitivity of PVA-ARBB was better. In addition, as a result of measuring the step difference of the pattern, the steps of PVA-ARBB and PVA-SBQ were 600 nm and 300 nm, respectively, and it was confirmed that the etching resistance of PVA-ARBB was better.
This synthesized PVA-ARBB polymer is suitable for ultra-high resolution photoresist for display due to its high sensitivity to 365 nm UV light and excellent step coverage.
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