SCOPUS
KCI등재
고 종횡비의 미세 채널 패턴에서의 습식 식각 특성 분석 = The Characteristics of Wet Etch Process for Sub-micron Channel pattern with High Aspect Ratios
저자
이춘수 ; 최상수 ; 백종태 ; 유형준 ; Lee, Chun-Su ; Choe, Sang-Su ; Baek, Jong-Tae ; Yu, Hyeong-Jun
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1995
작성언어
Korean
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
208-214(7쪽)
제공처
소장기관
콘택 홀 패턴의 미세화가 HF 용액의 침투에 미치는 영향을 파악하고자, 미세 채널 패턴에서의 산화막 습식 식각 특성을 조사하였다. LPCVD로 증착된 산화막을 두께 0.1~1$\mu\textrm{m}$, 선폭 0.1~20$\mu\textrm{m}$, 그리고 초기 깊이 ~1.2$\mu\textrm{m}$ 범위의 질화막으로 둘러 쌓인 미세 채널 패터으로 제작한 후, HF용액에 의한 산화막의 식각속도를 관찰하였다. 실험 결과로써, 크기가 $0.1 \times 0.1 \mu \textrm{m}^{2} 초기 깊이가 1.2$\mu\textrm{m}$인 고종횡비(~12)의 초미세 패턴에서도 식각 속도가 일정함을 볼 수 있어서, 콘택 홀 패턴의 미세화에 관계없이 반응액의 침투가 원활하게 이루어짐을 알 수 있었다.
더보기In order to study on the penetrations of HF solution acording to the geometrical shrinkage of contact-hole pattern size, the wet etch characteristics for oxide in microchannel patterns was investigated. Microchannel patterns of LPCVD oxide surrounded by nitride film, with dimensions of 0.1~1$\mu\textrm{m}$ height and 0.1~20$\mu\textrm{m}$, width, were fabricated. And the etch rates of oxide in HF solution were observed. It was found that oxide etch rate for micro-channel patterns in HF was not affected by pattern sizes and initial aspect ratios up to $0.1 \times 0.1 \mu \textrm{m}^{2} size and 1.2$\mu\textrm{m}$ depth. Finally, it was concluded that there were no special limitations for penetrations of HF solution in wet processes according to the geometrical shrinkage of contact-hole pattern size.
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