SCOPUS
SCIE
Role of Graphene in Water-Assisted Oxidation of Copper in Relation to Dry Transfer of Graphene
저자
Luo, Da ; You, Xueqiu ; Li, Bao-Wen ; Chen, Xianjue ; Park, Hyo Ju ; Jung, Minbok ; Ko, Taeg Yeoung ; Wong, Kester ; Yousaf, Masood ; Chen, Xiong ; Huang, Ming ; Lee, Sun Hwa ; Lee, Zonghoon ; Shin, Hyung-Joon ; Ryu, Sunmin ; Kwak, Sang Kyu ; Park, Noejung ; Bacsa, Revathi R. ; Bacsa, Wolfgang ; Ruoff, Rodney S.
발행기관
학술지명
Chemistry of materials(a publication of the American Chemical Society)
권호사항
발행연도
2017
작성언어
-등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
4546-4556(11쪽)
제공처
<P>The process of oxidation of a copper surface coated by a layer of graphene in water-saturated air at 50 degrees C was studied where it was observed that oxidation started at the graphene edge and was complete after 24 h. Isotope labeling of the oxygen gas and water showed that the oxygen in the formed copper oxides originated from water and not from the oxygen in air for both Cu and graphene-coated Cu, and this has interesting potential implications for graphene as a protective coating for Cu in dry air conditions. We propose a reaction pathway where surface hydroxyl groups formed at graphene edges and defects induce the oxidation of Cu. DFT simulation shows that the binding energy between graphene and the oxidized Cu substrate is smaller than that for the bare Cu substrate, which facilitates delamination of the graphene. Using this process, dry transfer is demonstrated using poly(bisphenol A carbonate) (PC) as the support layer. The high quality of the transferred graphene is demonstrated from Raman maps, XPS, STM, TEM, and sheet resistance measurements. The copper foil substrate was reused without substantial weight loss to grow graphene (up to 3 cycles) of equal quality to the first growth after each cycle. It was found that dry transfer yielded graphene with less Cu impurities as compared to methods using etching of the Cu substrate. Using PC yielded graphene with less polymeric residue after transfer than the use of poly(methyl methacrylate) (PMMA) as the supporting layer. Hence, this dry and clean delamination technique for CVD graphene grown on copper substrates is highly advantageous for the cost-effective large-scale production of graphene, where the Cu substrate can be reused after each growth.</P>
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