밀도초함수밀접결합 방법을 이용한 Si(100) 표면의 탄화과정 연구 = A Stody of CVD growth mechanism of SiC using SCC-DFTB
저자
황용규 (원광대학교 자연과학대학 물리학부)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
KDC
420.000
자료형태
학술저널
수록면
11-16(6쪽)
제공처
DFT-TB방법을 이용하여 Si(100)표면에서의 탄화수소의 흡착과 탄화과정을 연구하였다. Si(100) 표면에 흡착된 CH_3 H하나가 이양체(dimer)를 구성하는 Si 원자중의 하나로 옮겨 붙으며 Si이양체의 중앙에 삽입되거나 Si원자에 Dimer바깥쪽으로 흡착되었다. 계속되는 CH_3의 흡착은 CH_4의 형태로 H를 떼어내어 C-C결합의 형성을 지연시키며 Si(100)면을 CH_2 또는 CH로 뒤엎히게 하고 Si원자가 공급되는 경우 SiC구조가 형성됨을 알 수 있었다. 이로부터 Si표면이 CH_3로 뒤덮힌 뒤, 계속되는 CH_3의 입사에도 불구하고 C-C결합이 형성되지 않고, 규소원자나 수소화규소의 입사가 있으면 Si-C결합이 형성되어 SiC의 성장이 이루어짐을 알 수 있었다.
더보기Carbonization of Si(100)surface has been studied using Self-consistent -Charge Density -Funhctional-Tight-Bindind method. When a CH_3 molecules adsorbs on the surface, a H atom moves away from CH_3 to form a bond with one of the Si atoms forming a dimer and the rest is inserted into the dimer. Or CH_3 adsorbs to one of the Si atoms forming the dimer. Subsequent absorption of CH_3 dessorbs H from CH_3 and CH_4, delaying the formation of C-C bonds. Eventually the surface is covered by either CH_2 or CH, and the adsorption of Si atoms or bhdrosilicon form Si-C bonds. adsorption of CH_3 on this C-terminated surface and the amount of Si supplied will result in the good crystalline quality of the carbonized layer. The growth of SiC may follow the above procedure, and is being studied by the same method.
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