터치스크린 패널용 ITO박막의 SnO2함량과 전자빔 조사를 통한 전기적 특성과 투과도 향상에 관한 연구
저자
발행사항
순천 : 순천대학교 대학원, 2013
학위논문사항
학위논문(석사)-- 순천대학교 대학원 : 인쇄전자공학과 2013.02
발행연도
2013
작성언어
한국어
KDC
569.8 판사항(4)
발행국(도시)
전라남도
형태사항
9, 65 p. : 삽도 ; 26 cm.
일반주기명
Enhanced electrical properties and transmittance of ITO films having a different SnO2 atomic percent by using electron beam irradiation for touch screen panels.
영문초록 수록.
참고문헌: p. 63-64
소장기관
Transparent conducting oxides (TCOs) have been widely used as transparent electrode for touch screen panel, flat panel displays including liquid crystal displays, organic light emitting diodes and plasma displays. Among the various TCOs tin doped indium oxide (ITO) is widely used due to its low electrical resistivity and compatibility with fine patterning processes. Thin film Sn-doped In2O3(ITO) is a degenerate wide-gap semiconductor of technological importance which, because it is transparent to visible light, is used in flat panel display and other optoelectronic applications. Moreover, optimized ITO film for TSP with low resistivity and high transmittance has been reached below electron beam irradiation.
We have investigated the effect of electron beam irradiation during the sputtering on the electrical properties and transmittance of 30nm-thick ITO thin films, which have a different SnO2 atomic percent, prepared by magnetron sputtering at room temperature. Electron beam irradiation to the ITO(SnO2 atomic percent of 10%) films during the sputtering resulted in a significantly decreased in resistivity from 7.4 10-4Ω-cm to 1.5 10-4Ω-cm and it also increased in transmittance from 84% to 88% at a wavelength of 550nm. These results can be attributed to energy transfer from electron to ad-atoms of ITO films during the electron beam irradiated sputtering, which can enhance the crystallinity of 30nm-thick ITO films. In addition the transmittance increased in the visible region, but decreased in the IR region. These results indicate that the absorption edge is blue-shifted in high carrier concentration films due to the Burstein-Moss(BM) effect. It is strongly indicate that electron beam irradiation can greatly improve the electrical properties and transmittance of ITO very thin films for touch screen panels as a electrode, flexible displays and solar cells.
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