SCIE
SCOPUS
KCI등재
Electrical Characteristics of Tunneling Field-effect Transistors using Vertical Tunneling Operation Based on AlGaSb/InGaAs
저자
Bo Gyeong Kim ; Ra Hee Kwon ; Jae Hwa Seo ; Young Jun Yoon ; Young In Jang ; Min Su Cho ; Jung-Hee Lee ; Seongjae Cho ; In Man Kang 연구자관계분석
발행기관
학술지명
Journal of Electrical Engineering & Technology(Journal of Electrical Engineering & Technology)
권호사항
발행연도
2017
작성언어
English
주제어
등재정보
SCIE,SCOPUS,KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
2324-2332(9쪽)
제공처
This paper presents the electrical performances of novel AlGaSb/InGaAs heterojunctionbased vertical-tunneling field-effect transistor (VTFET). The device performance was investigated in views of the on-state current (Ion), drain-induced barrier thinning (DIBT), and subthreshold swing (SS) as the gate length (LG) was scaled down. The proposed TFET with a LG of 5 nm operated with an Ion of 1.3 mA/μm, a DIBT of 40 mV/V, and an SS of 23 mV/dec at a drain voltage (VDS) of 0.23 V. The proposed TFET provided approximately 25 times lower DIBT and 12 times smaller SS compared with the conventional LG of 5 nm TFET. The AlGaSb/InGaAs VTFET showed extremely high scalability and strong immunity against short-channel effects.
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