HFCVD법으로 증착된 다이아몬드 박막의 이온주입 효과 = Effect of Ion Implantation on the Diamond Thin Films Grown by HFCVD
저자
백홍구 (연세대학교 금속공학과) ; 심재엽 (연세대학교 금속공학과) ; 송기문 (건국대학교 자연과학대학 응용물리학과)
발행기관
건국대학교 자연과학연구소(THE RESEARCH INSTITUTE OF NATURAL SCIENCE KON-KUK UNIVERSITY)
학술지명
建國自然科學硏究誌(KON-KUK JOURNAL OF NATURAL SCIENCE AND TECHNOLOGY)
권호사항
발행연도
1999
작성언어
English
KDC
404
자료형태
학술저널
수록면
107-112(6쪽)
제공처
소장기관
다이아몬드 에미터는 디바이스 안정성이나 내구성에서 탁월한 성능을 가지므로 합성 다이아몬드 박막에 대한 관심이 크다. 이온주입의 효과가 고온 휠라멘트 화학기상증착법(HFCVD)법으로 성장된 다이아몬드 박막의 다이아몬드 품질에 미치는 영향을 연구하였다. 여기서는 붕소와 인의 이온을 고 에너지로 주입시켜, 이온 주입 전후의 다이아몬드의 구조적 변화를 분석하였다. Raman 스펙트럼 측정에 의하면 붕소 이온 주입된 시료는 많은 흑연 성분을 포함한 미약한 다이아몬드의 특성을 보이고 있으나, 인 이온 주입된 시료는 다이아몬드 구조를 나타내지 않는다. Auger 스펙트럼을 분석하면 붕소와 인 이온을 주입한 시료 모두가 표면에 심한 이온주입 훼손이 생겨 다이아몬드 특성을 잃은 것을 알 수 있다.
There has been much interest in synthetic thin film diamond as the emitter materials because the diamond emitter can carry a crucial performance for the device stability and durability. Diamond films grown by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) have been studied to investigate the effect of ion implantation on diamond qualities. Here the diamond films were implanted with boron and phosphorus ions and analyzed their structural changes by implantations. From Raman spectra, the boron ion implanted samples still show a weakened diamond peak with high graphite component while the phosphorus ion implanted sample loses diamond structure. On tile other hand. their AES spectra at surface do not exhibit an obvious diamond shoulder, indicating the surface of ion implanted samples damaged by high fore implantation.
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