Doping Level Determination and In Situ Raman Spectroscopy of Conducting Polymer(I);Poly(3-Methylthiophene) = 전도성 폴리머의 도우핑도의 결정과 인시투 라만 분광 연구(I);폴리 3-메칠 사이오펜
저자
Choi,Chan Soo (Dept. of Chemistry,College of National Science, Taejon University)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1995
작성언어
English
주제어
KDC
400
자료형태
학술저널
수록면
67-85(19쪽)
제공처
소장기관
진공 증착된 금 필름 기질 위에 전기화학적으로 증차된 폴리 3-메칠 사이오펜의 전기화학(순환전압법, 연차 전기량법)과 인시투 라만 분광학이 테드라 뷰틸 암모니움 테트라 플루오로 보레이트의 아세토나이트라일 용액 중에서 조사되었다. 얇은 층 전지 모델이나 흡착 모델을 사용하여 양극 극대 전류, 양극 극데 전압, 및 극대 전압과 반 극대 전압의 차와 같은 전기화학 인자를 찾는 방정식들이 유도 되었다. 특히, 순환 전압 곡선 상에 극대 및 반 극대의 전압 차이로부터 도우핑도가 네른스트적 반응을 가정하면 25%에서 64%까지의 범위가 되는 것이 발견되고 이 값들은 반복스켄과 전위의 스켄 속도 증가에 대하여 감소하는 것이 발견된다. 만일 폴리 3-메칠 사이오펜의 산화 반응이 완전 비가역적이라고 가정되면 도우핑도가 최대 14%이 되고, 따라서 전 반응에 관여되는 전자의 수가 최대 0.14 이나 속도 결정 단계에 수반되는 전자 수(0.96) 보다 작았고 그것은 정상이 아니었다. 보통은 전 반응에 수반되는 전자수가 속도 결정 단계에 수반되는 전자수 보다 커야 한다 연차 전기량 기술로부터 도우핑도는 16%에서 52%의 범위라는 것이 발견되었고 반복 스켄에 따라서 감소되었다.
폴리 3-메칠 사이오펜의 C-C 진동 모우드로부터 인시투 라만 신호가 산화환원 반응을 추적하기 위하여 사용할 수 있다. 인시투 라만 측정으로부터 도우핑 준위는 46%라는 것이 발견되었다. 인시투 라만 측정으로부터의 도우핑도는 산화환원 반응에 따른 기능기변화의 양의 직접적인 측정이기 때문에 매우 믿을 만하다고 생각이 되었다.
네른스트적 얇은 층 전지 모델을 기반으로 한, 순환 전압 방법에 의한 폴리 3-메칠 사이오펜의 도우핑도는 다른 두 방법(연차 전기량법 및 인시투 라만 분광법)에 의한 값들과 유사한 범위 내의 값들을 나타냄으로 매우 합리적이고 빠른 방법이라는 것이 발견된다. 또한, 저항과 이중층 용량에 기인한 작은 오차만이 전위 측정에 포함되기 때문에 이 방법에 의한 전기화학적 인자들의 측정은 믿을 만한 것으로 간주된다. 이 방법을 사용하면 전도성 폴리머의 반복 사용에 따른 전기화학적 인자들의 변화를 자세히 관찰 할 수 있다.
The electrochemistry (cyclic voltammetry, chronocoulometry) and in situ Raman spectroscopy of poly(3-methylthiophene) (P-3-MTh) thin film, electrochemically deposited on vacuum-deposited gold film substrate, in acetonitrile solution containing tetrabutylammonium tetrafluoroborate have been examined. Employing a thin-layer cell model or an adsorption model, the equations to find electrochemical parameters, such an anodic peak current, anodic peak potential, and the difference between peak potential and half peak potential were derived. From the potential difference between peak and half on the cyclic voltammetric wave for the first oxidation reaction of P-3-MTh, the doping level was, for a Nernstian reaction assumed, found to be ranged from 25% to 64%, with a decrease for repeated scans and an increase of scan rate. However, if the reaction was assumed to be irreversible, the doping level was maximum 14%, so that the number of electrons involved in the overall reaction was maximum 0.14, but it was smaller than the number (0.96) involved in the rate determining step (0.96), which was not normal. Normally the number of electrons involved in the overall reaction must be larger than that involved in the rate- determining step. From a chronocoulometric technique, the doping level was found to be ranged from 16% to 52%, which was decreased with repeated scans.
In situ Raman signals from C=C vibrational mode of P-3-MTh could be used to monitor redox reaction, because it showed an in situ Raman intensity change upon the reaction. From in situ Raman measurements, the doping level was found to be 46% (n value of 0.46). The n value from the in situ Raman measurements was though to be very reliable, because it is a direct measurement of the amount of functional group changes upon redox reaction.
Because the doping level determined by the CV method, based upon the Nernstian thin-layer cell model, had values in the similar range with the other two methods(chronocoulometry and in situ Raman spectroscopy), the CV method was found to be a very reasonable, fast method for the P-3-MTh system. Also because only a little error due to resistance and double layer capacitance was included in the potential measurements, the electrochemical parameters calculated by this method are considered to be very reliable, and the change of those parameters can be observed in detail upon the repeated use of P-3-MTh.
분석정보
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)