테라비트급 탄소나노튜브 전자소자 개발 (1350008457) / 2005 / 21세기프론티어연구개발사업 / 박완준 / 삼성종합기술원 / 과학기술부 / 1,380,000,000
SCOPUS
SCIE
국가R&D연구논문Vertically Aligned Carbon-Nanotube Arrays Showing Schottky Behavior at Room Temperature
저자
Jung, Seung-Ho ; Jeong, Soo-Hwan ; Kim, Sang-Uck ; Hwang, Sun-Kyu ; Lee, Pyung-Soo ; Lee, Kun-Hong ; Ko, Ju-Hye ; Bae, Eunju ; Kang, Donghun ; Park, Wanjun ; Oh, Hwangyou ; Kim, Ju-Jin ; Kim, Hyungseok ; Park, Chan-Gyung
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2005
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
553-559(7쪽)
제공처
<P>Vertically aligned carbon-nanotube (CNT) arrays were fabricated in the thin-film anodic aluminum oxide (AAO) templates on silicon wafers utilizing a niobium (Nb) thin film as the source electrode. The average diameter of the CNTs was 25 nm, and the number density was 3×10<SUP>10</SUP> cm<SUP>−2</SUP>. The CNT arrays synthesized at 700 °C and above exhibited Schottky behavior even at 300 K, with energy gaps between 0.2 eV and 0.3 eV. However, individual CNTs obtained by removal of the template behaved as resistors at 300 K. The CNT/Nb oxide/Nb junction is thought to be responsible for the Schottky behavior. This structure can be a useful cornerstone in the fabrication of nanotransistors operating at room temperature.</P>
<B>Graphic Abstract</B>
<P>Vertically aligned carbon-nanotube (CNT) arrays were fabricated in thin-film anodic aluminum oxide (AAO) templates on silicon wafers utilizing a niobium (Nb) thin film as the source electrode (see the SEM image and the schematic). The CNT arrays synthesized at 700 °C and above showed Schottky behavior even at room temperature (see the graph). Such structures may be a useful route to the fabrication of nanotransistors operating at room temperature.
<img src='wiley_img/16136810-2005-1-5-SMLL200400114-content.gif' alt='wiley_img/16136810-2005-1-5-SMLL200400114-content'>
</P>
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