다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상을 위한 구조적 개선 = The Structural Improvement for rising Electrical Characteristics of Poly-Si TFT
저자
백도현 (동의대학교 대학원 전자공학과) ; 이용재 (동의대학교 공과대학 전기ㆍ전자공학부 전자공학 전공 교수)
발행기관
동의대학교 산업기술개발연구소(Research Institute of Industrial Technology Development Dongeui University)
학술지명
産業技術硏究誌(THE RESEARCH INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY DEVELOPMENT)
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
KDC
569.000
자료형태
학술저널
수록면
145-149(5쪽)
제공처
실리콘 고집적화와 대형화를 위해 실리콘 산화층과 동일한 조건으로 유리기판 위에 고상결정화(SPC)로층을 형성시켜서, 이층을 이용하여 제작한 n-채널 다결정 박막 트랜지스터(poly-Si TFT's)에 대해 전류-전압 특성을 측정하였다. 문제점으로 지적된 강한 kink 효과와 큰 누설전류를 개선하고자 제안된 LDD(Lightly Doped Drain)구조가 TFT에 미치는 영향을 연구하였다. 측정 결과로부터, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 채널길이가 짧아짐에 따라, kink 효과는 심해졌고, 누설전류는 드레인 전압과 게이트 전압에 상당히 의존적이며, 낮은 게이트 바이어스하에서 채널길이에 영향을 받았다. 그러나, LDD구조로 제작함으로서 드레인 전계의 감소로 인하여 kink 전류와 누설전류가 상당히 감소하였다. 또한, LDD길이(△L)이 증가할수록 직렬 저항의 증가로 인하여 드레인 전류가 감소하나, 핫 캐리어에 의한 열화현상이 감소되기 때문에 적절한 △L를 결정해야 한다.
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