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SCOPUS
급속 열처리시킨 Al0.24Ga0.76As/In0.15Ga0.85As/GaAs 슈우도형 고전자 이동도 트랜지스터 구조의 Photoluminescence 특성 = Photoluminescence Characteristics of an Al0:24Ga0:76As/In0:15Ga0:85As/ GaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor Structure After Rapid Thermal Annealing
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2002
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KCI등재후보,SCOPUS
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315-319(5쪽)
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Using photoluminescence (PL) spectroscopy, we have investigated the optical characteristics of a
delta-doped Al0:24Ga0:76As/In0:15Ga0:85As/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor
structures after rapid thermal annealing(RTA). In the PL spectra measured at 12 K, a transition
from the first electron subband to the second heavy hole (E1-H2) at 1.354 eV is newly observed
at annealing temperatures above 650 C. The presence of the E1-H2 intersubband transition can
be explained by the high availability of holes in the second heavy-hole subband, resulting from an increase in the effective well width of the InGaAs valence subband caused by a decrease in the band bending and a decrease in the density of the two-dimensional electron gas during the RTA process.
급속열처리시킨 델타~도핑 Al0.24Ga0.76As/In0.15Ga0.85As/GaAs 슈우도형 고전자 이동도 트랜지스터 구조의 광학적 특성을 photoluminescence(PL)방법을 이용하여 조사하였다. 650 C이상의 온도에서 열처리한 시료의 12K PL 스펙트라에 대해 첫번째 전자 준위와 두번째 무거운 정공 준위의 재결합(E1-H2)에 의한 신호가 약 1.354eV 에서 새롭게 관측되었다. 12K PL 스펙트라에서 E1-H2 전이의 관측은 급속 열처리 후에 InGaAs 양자우물 형태의 변화와 2DEG 밀도의 감소의 결과로 InGaAs 가전자띠의 두번째 부띠(H2)의 정공 밀도의 증가에 기인된 것이다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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