KCI등재
SCOPUS
SCIE
Current–voltage characteristics of Al/Rhodamine-101/n-GaAs structures in the wide temperature range
저자
Ö. Vural (Kafkas University) ; Y. S afak (Gazi University) ; S . Altındal (Gazi University) ; A. Türüt (Atatürk University)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2010
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
761-765(5쪽)
KCI 피인용횟수
42
제공처
The forward bias current–voltage (I–V) characteristics of Al/Rhodamine-101/n-GaAs structure have been investigated in the temperature range of 80–350 K. It has been seen a decrease in ideality factor (n) and an increase in the zero-bias barrier height (BH) with an increase in temperature. It has been seen that such a behavior of the BH and n obey Gaussian distribution of the BHs due to the BH inhomogeneities at the metal/semiconductor (MS) interface. The very strong temperature dependence of ideality factor of the structure has shown that the current processes occurring in the organic layer at the MS interface would be a possible candidate such as trap-charge limited conduction in determining the current at the intermediate and high bias regimes. Furthermore, it has been show that the Rh101 can be used to vary effective BHs for the metal/GaAs Schottky diodes. As a result, it has been determined that the BH value for conventional Al/n-GaAs SBD is remarkably higher than our own values of 0.68 eV obtained for the Al/Rh101/n-GaAs at 290 K.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 1.8 | 0.18 | 1.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.92 | 0.77 | 0.297 | 0.1 |
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