차세대 산화막용 초박막 SiO2의 특성 평가 = Evaluation of the properties of ultra-thin Si02 films for next generation oxide film
저자
정상현(Sang-Hyun JEONG) ; 김용성(Yong-Seong KIM) ; 김재현(Jae-Hyun KIM) ; 김지형(Ji-Hyung KIM) ; 김광호(Kwang-Ho KIM) ; 김영남(Yeong-Nam KIM)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2005
작성언어
Korean
주제어
자료형태
학술저널
수록면
12-16(5쪽)
제공처
급속 건식 열산화를 이용하여 850~1050 ℃의 온도범위로 초박막 SiO2를 p-Si(100) 위에 성장시켰다. 초박막 산화막의 유전상수는 게이트 전극의 면적과 측정된 커패시턴스로 산출하였다. 초박막 산화막 두께는 ellipsometer와 10 ㎑ C-V특성에서 Maserjian이 제안하는 방법에 따라 평가하였으며 MOS 커패시터에서 측정된 산화막 두께는 33.6Å이었다. 산화막에 대한 전기적 특성을 평가하기 위해 정전용량-전압, 전류-전압 특성을 이용하였으며, C-V 특성에서 산출된 초박막 산화막 두께가 111.6Å인 MOS 커패시터 midgap 부근에서의 최소 계면 준위 밀도는 6~10×1010 /㎝2eV 였다.
더보기In this paper, ultra-thin silicon dioxides were grown on p-type(100) oriented silicon employing rapid thermal dry oxidation technique at the temperature range of 850~1050 ℃. Dielectric constant of ultra-thin SiO2 is estimated by the capacitance following the variable area of gate electrode. The 10 ㎑ C-V characteristics are used to estimate the thickness of the ultra-thin oxides following the method proposed by Maserjian, The estimated oxide thickness in this MOS capacitor was about 33.6 Å. The capacitance-voltage, current-voltage characteristics were used to study the electrical properties of these thin oxides. The minimum interface state density around the midgap of the MOS capacitor having oxide thickness of 111.6 Å derived from the C-V curve was ranged from 6 to 10×1010 /㎝2eV.
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