Analysis of photosensitive glass interposer package for Mm-wave applications
저자
발행사항
[Seoul] : Graduate School, Yonsei University, 2021
학위논문사항
학위논문(석사) -- Graduate School, Yonsei University Department of Electrical and Electronic Engineering 2021.8
발행연도
2021
작성언어
영어
주제어
발행국(도시)
서울
기타서명
Mm-wave 응용을 위한 감광성 유리 인터포저 패키지 분석
형태사항
x, 54장 : 삽화 ; 26 cm
일반주기명
지도교수: Jong-gwan Yook
UCI식별코드
I804:11046-000000538483
소장기관
The silicon interposer technology has the advantage of effectively combining heterogeneous chips. By overcoming the limitations of miniaturization, the silicon interposer can be packaged in 2.5D 3D using TSV (Through Silicon Via) technology. However, silicon has a large electrical loss as the frequency band increases, and has a limit in process cost. To overcome these limitations, glass substrates are becoming an alternative. Glass features low electrical losses, low cost and low CTE (Coefficient of Thermal Expansion). Glass has better dielectric properties than silicon.
In this thesis, a front-end module is proposed with photosensitive glass that can easily form via and cavity at low process cost. The proposed module has three structures: transmission line using air cavity, signal via transition, and glass embedded IC. The insertion loss of a G-CPW transmission line fabricated on a photosensitive glass substrate is 0.18 dB per mm at 28 GHz. In order to reduce the loss of the transmission line, a cavity is formed between the signal and the ground to lower the dielectric loss. The insertion loss of the transmission line using air cavity is 0.13 dB per mm, which is 30% higher than the previous one. Signal transitions between module and motherboard use via. The fabricated signal transition model includes a pad for measurement and a transmission line. The insertion loss caused by the transition is 0.18 dB at 28 GHz. The IC is embedded in the formed cavity. Therefore, the length of the wire bonding connecting the chip and the transmission line is shorter than that of surface mounting. The bandwidth has been extended by 2 GHz.
The FEM composed of SPDT Switch, LNA and PA was fabricated and dimension was 7.3*6.6 ㎟. As a result of measurement, and Tx path’s gain and Rx path’s gain were measured 17.5 dB and 18.3 dB at 28 GHz. The loss caused by the transmission line and signal via transition is 0.75 dB in Rx path
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