SCOPUS
SCIE
Recent progress in Van der Waals (vdW) heterojunction-based electronic and optoelectronic devices
저자
Shim, Jaewoo ; Kang, Dong-Ho ; Kim, Yunjo ; Kum, Hyun ; Kong, Wei ; Bae, Sang-Hoon ; Almansouri, Ibraheem ; Lee, Kyusang ; Park, Jin-Hong ; Kim, Jeehwan
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
-등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
78-89(12쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>The rediscovery of graphene in 2004 triggered an explosive expansion of research on various van der Waals (vdW) materials. The atomic layers of these vdW materials do not have surface crystal defects and are bonded by weak vdW interactions, thus the vdW materials can be stacked onto each other to form vdW heterojunction structures without needing to consider the lattice mismatch issue. In addition, the broad library of vdW materials makes it possible to design diverse types of heterojunctions with a wide range of band alignments, bandgaps, and electron affinities. Vertical vdW heterostructures especially offer numerous possibilities for the realization of high-performance electronic and optoelectronic devices. Therefore, these vdW heterostructures have received significant attention, and extensive relevant experimental results have been reported in the past few years. In this review, we first introduce the transfer techniques to form vdW heterojunction structures. Next, we discuss recent progress in vdW heterostructure-based electronic and optoelectronic devices, including vertical field effect transistors, negative differential resistance devices, memories, photodetectors, photovoltaic devices, and light-emitting diodes. Finally, we conclude this review by discussing the current challenges facing vdW heterojunction structure-based devices and our perspective on future research directions.</P> <P><B>Graphical abstract</B></P> <P>[DISPLAY OMISSION]</P>
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