KCI우수등재
SCOPUS
Brief Review of Atomic Layer Etching Based on Radiofrequency-Biased Ar/C4F6 -Mixture-Based Inductively Coupled Plasma Characteristics
저자
윤민영 (Semiconductor Integrated Metrology Team, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon 34113, Republic of Korea) ; 염희중 (Semiconductor Integrated Metrology Team, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon 34113, Republic of Korea) ; 정종렬 (Department of Materials Science) ; 김정형 (한국표준과학연구원) ; 이효창 (한국항공대학교)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2023
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
34-37(4쪽)
DOI식별코드
제공처
Among the next-generation semiconductor manufacturing processes, plasma-assisted atomic layer etching (ALE) has garnered significant attention along with an increase in demand for damage-free and precise process technology. In typical ALE, an atomic layer is etched in each cycle by repeating a modification step through a chemical reaction using a reactive gas and a removal step through physical etching. Polymer-rich fluorocarbon gases, such as C4F8 and C4F6, are generally used as reactive gases for ALE to protect the sidewalls of high-aspect-ratio patterns.
Compared with C4F8, C4F6 has a lower global warming potential and an excellent etch selectivity, thus, it can be a candidate for next-generation etching gas. Among the plasma sources for ALE, inductively coupled plasma (ICP) is widely used because of its low plasma potential and low electron temperature. Moreover, the ion energy and electron density in an ICP can be independently controlled using an additional bias system.
In ALE performed using a radiofrequency (RF)-biased ICP, the plasma characteristics change in each step, because the reactive gas is injected and purged in the modification step, and a bias is applied in the removal step. Hence, an ALE process design or a recipe tuning based on an understanding of the plasma characteristics in each step is required for precisely controlling the process. This review introduces and discusses ALE process and plasma characteristics using RF-biased ICP and C4F6 (Hexafluoro-1,3-butadiene).
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)