In-situ 공정으로 형성시킨 PZT 박막의 특성 = Properties of PZT thin film formed by in-situ process
저자
마재평 (호남대학교 전기전자공학부(전자))
발행기관
호남대학교 산업기술연구소(INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY HONAM UNIVERSITY)
학술지명
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
KDC
504
자료형태
학술저널
수록면
27-36(10쪽)
제공처
초고집적반도체소자의 커패시터용 PZT 박막을 기판온도와 gas 주입량을 달리하며 RF magnetron sputtering 방법으로 Pt/Ti/SiO₂/Si 기판상에 in-situ 공정으로 제조하였다. 상 형성, 박막의 조성, 계면 반응 그리고 I-V특성 등을 XRD, SIMS, HP4145B 그리고 HP4194A 등으로 조사하였다.
기판 온도를 600℃로 하고 gas를 O₂/Ar=1/9로 주입했을 때, preferred orientation을 나타내는 안정한 perovskite 상이 형성되고 계면이 안정되게 유지되어 좋은 전기적 특성을 나타냈다. 이때 누설전류는 ?? order에 이르렀고 유전상수도 960으로 매우 큰 값을 보였다.
이와같은 조건에서 in-situ 공정으로 제조한 PZT 박막은 탁월한 전기적 특성을 지녀 기가 DRAM급 이상의 차세대 초고집적 반도체에의 적용 가능성이 큼을 알 수 있었다.
By in-situ process under the various substrate temperatures and ratios of introducing gases, PZT thin films for ULSI's capacitor were deposited on the Pt/Ti/SiO₂/Si substrate in the RF magnetron sputtering system. Phase formations, film compositions, interface reactions, and I-V and C-V characteristics were analyzed by XRD, SIMS,HP4145B and HP4194A.
As results, the 200 nm PZT thin film prepared at 600℃ in the gas ratio of O₂/Ar=1/9 formed as stable perovskite structure with preferred orientation. Under the condition, it keeped stable intergace and good electrical properties. For that condition, leakage current diensity was ??, dielectric constant of 960.
PZT thin films fabricated by under those conditions by in-situ process have good dielectric properties so that the films will bi able to be applied to over giga order DRAM.
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