KCI등재
규소 결정 표면의 구조 결함의 형성에 미치는 기계적 손상의 영향 = The influence of mechanical damage on the formation of the structural defects on the silicon surface during oxidation
저자
김대일 (인천대학교) ; 김종범 (인천대학교) ; 김영관 (인천대학교) ; Kim, Dae-Il ; Kim, Jong-Bum ; Kim, Young-Kwan
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
권호사항
발행연도
2005
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
45-50(6쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
소장기관
규소 표면의 기계적 손상은 산화 공정 중에 규소 표면에 여러 가지 형태의 결함들을 발생 시킨다. 규소 표면에 손상을 주는 마모 입자가 커짐에 따라 OISF보다는 etch pit의 형상이 동굴형인 선 결함(line defects)들이 많이 발생된다. 이들 결함들은 실리콘 결정을 성장시키는 단계에서 형성되는 결함들과는 상호 관련이 없다. 방향성 응고법으로 성장된 규소 결정속에 존재하는 결함들은 주로 twin과 stacking fault들이며 응고과정에서 발생이 예상되는 응력에 의한 전위는 거의 발견되지 않았다. 따라서 Czochralski 법으로 성장된 단 결정 규소뿐 아니라 방향성 응고법으로 성장된 다 결정 규소 기판도 표면의 결함들을 이용하여 extrinsic gettering을 통한 규소 결정 내부의 불순물 제거의 가능성이 높다.
더보기During oxidation process, several type of defects are formed on the surface of the silicon crystal which was damaged mechanically before oxidation. As the size of abrasive particle increases multiple dislocation loops are produced favorably over oxidation-induced stacking faults, which are dominantly produced when ground with finer abrasive particle. These defects are not related with the crystal growth process like Czochralski or directional solidification. During directional solidification process, twins and stacking faults are the two major defects observed in the bulk of the silicon crystal. On the other hand, slip dislocations produced by the thermal stress are not observed. Thus, not only in single crystalline silicon crystal but also in multi-crystalline silicon, extrinsic gettering process with programmed production of surface defects might be highly applicable to silicon wafers for purification.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2028 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2022-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2019-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2016-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
2015-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (기타) | KCI후보 |
2012-03-29 | 학술지명변경 | 외국어명 : Jounal of Korea Associaiton of Crystal Gorwth -> Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.24 | 0.24 | 0.23 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.2 | 0.17 | 0.244 | 0.09 |
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