반도체 감쇄위상천이 마스크 설계를 위한 규칙기반 광근접보정법 = Rule-Based Optical Proximity Correction Methodology in Attenuated Phase Shifted Mask Design for System LSI Devices
저자
이흥주 (상명대학교 산업과학연구소)
발행기관
상명대학교 산업과학연구소(THE INDUSTRIAL SCIENCE RESEARCH INSTITUTE SANG MYUNG UNIVERSITY)
학술지명
권호사항
발행연도
2002
작성언어
Korean
KDC
505.000
자료형태
학술저널
수록면
1-9(9쪽)
제공처
Design rule shrink에 따라 DRAM의 OPC(Optical proximity Correction) 적용 layer가 gate 위주에서 active, bit-line, metal, contact layer로 확대되는 추세에 있다. 이에 따라 현재의 line bias를 중심으로 한 CD(critical dimension) 보정 방법에 의해서는 다양한 OPC layer의 patterning 문제에 적절히 대처하기 어렵게 되었다. 특히, backend 공정에서 불량을 일으키는 주요원인은 metal과 contact/via의 overlap margin의 부족 때문이다. Sub-0.18㎛ system LSI 제품에서는 overlap margin이 거의 없는 design rule로 metal layer가 설계됨에 따라, 공정에서 overlap error가 발생할 가능성이 높아졌다. 따라서 backend 공정에서 OPC가 필수적으로 적용된다. System LSI 제품의 metal layer에 OPC를 적용하기 위해서는 우선 OPC runset을 제작하고 완벽하게 검증해야 한다. Runset에 대한 검증 후에는 이를 이용하여 다양한 layout의 모든 ASIC 제품에 동일한 OPC가 적용된다. 만일, unset의 검증이 미흡하다면, chip 동작에 치명적인 영향을 주는 mask error가 발생할 수도 있다. 그러므로 불량 발생 방지와 수율 향상을 위해서 OPC runset에 대한 검증을 강화하여야 하며. turn around time(TAT)을 방지하기 위해 OPC법을 개선할 필요가 있다.
따라서, resolution을 향상시키고, 최소한의 overlay margin 확보가 가능하도록 하여야만, 미세 pattern의 구현이 가능하게 된다. 이를 위해 OPC와 attPSM 같은 분해능향상기술이 사용된다. 그러나 attPSM의 사용은 원하지 않는 pattern이 생성되는 sidelobe와 같은 문제가 발생한다. 따라서 aerial image siumlation을 통해 추출한 rule을 rule-based correction에 적용하여 sidelobe현상을 방지한다. 그리고 overlay margin 부족으로 나타나는 문제는 metal layer와 contact이 overlap되는 영역의 line edge를 확장하고, rule checking을 통해 최소한의 space margin을 확보하여 해결한다. 따라서 overlay error를 rule-based correction을 사용하여 효과적으로 방지한다.
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