KCI등재
CMP 공정에서 마이크로 스크래치 감소를 위한 슬러리 필터의 특성 = Characteristics of Slurry Filter for Reduction of CMP Slurry-induced Micro-scratch
저자
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2001
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
557-561(5쪽)
제공처
소장기관
Chemical mechanical polishing (CMP) process has been widely used to planarize dielectric layers, which can be applied to the integraded circuits for sub-micron technology. Despite the increased use of CMP process, it is difficult to accomplish the global planarization of in the defect-free inter-level dielectrics (ILD). Especially, defects such as micro-scratch lead to severe circuit failure which affect yield. CMP slurries can contain particles exceeding 1㎛ in size, which could cause micro-scratch on the wafer surface. The large particles in these slurries may be caused by particles agglomeration in slurry supply line. To reduce these defects, slurry filtration method has been recommended in oxide CMP. In this work, we have studied the effects of filtration and the defect trend as a function of polished wafer count using various filters in inter-metal dielectrics(IMD)-CMP process. The filter installation in CMP polisher could reduce defects after IMD-CMP process. As a result of micro-scratch formation, it is shown that slurry filter plays an important role in determining consumable pad lifetime. The filter lifetime is dominated by the defects. We have concluded that slurry filter lifetime is fixed by the degree of generating defects.
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