KCI등재
SCIE
SCOPUS
Rapid Thermal Annealing Effects on the Electrical, Structural and Morphological Properties of Yb/p-type InP Schottky Structure
저자
V. Rajagopal Reddy (Sri Venkateswara University) ; D. Sri Silpa (Sri Venkateswara University) ; V. Janardhanam (Chonbuk National University) ; 윤형중 (한국기초과학지원연구원) ; 최철종 (전북대학교)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2015
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
73-81(9쪽)
KCI 피인용횟수
9
DOI식별코드
제공처
The electrical, structural and surface morphological properties of Yb/p-InPSchottky barrier diode (SBD) have been investigated at different annealingtemperatures. The determined Schottky barrier height (SBH) and idealityfactor n of the as-deposited Yb/p-InP SBD are 0.68 eV (I-V)/0.81 eV(C-V)and 1.44 respectively. After annealing at 300°C, the SBH of Yb/p-InP SBDincreases to 0.72 eV (I-V)/0.88 eV (C-V). When the contact is annealed at400°C, the SBH slightly decreases to 0.67 eV (I-V)/0.80 eV (C-V). Theseresults reveal that the optimum annealing temperature for Yb/p-InP SBD is300°C. Cheung’s functions are also employed to determine the seriesresistance of the Yb/p-InP SBD. Using Terman’s method, the interface statedensity is estimated for Yb/p-InP SBD at different annealing temperatures.
The XPS results reveal that the existence of phosphorous-rich surface afterthe annealing. The AES and XRD results showed that the formation ofphosphide phases at the Yb/p-InP interface may be the reason for theincrease of SBH after annealing at 300°C. The decrease in the BH afterannealing at 400°C may be due to the formation of indium phases at theinterface. The overall surface morphology of the Yb Schottky contact isfairly smooth at elevated temperatures.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
학술지등록 | 한글명 : Electronic Materials Letters외국어명 : Electronic Materials Letters | ||
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2013-10-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (기타) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (기타) | KCI후보 |
2009-12-29 | 학회명변경 | 한글명 : 대한금속ㆍ재료학회 -> 대한금속·재료학회 | KCI후보 |
2008-01-01 | 평가 | SCIE 등재 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 1.68 | 0.41 | 1.08 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.89 | 0.83 | 0.333 | 0.06 |
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)