KCI등재
SCI
SCIE
SCOPUS
Hot-wire CVD Grown Microcrystalline Silicon Films with and without Initial Growing Layer
저자
Do Young Kim ; 이준신 ; Chang Ki Seo ; Myung Suk Shim ; Suresh Kumar Dhungel
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2004
작성언어
English
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
1153-1156(4쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
Microcrystalline Si (c-Si) lms have been deposited by using hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) with ve W wire laments of 0.5 mm in diameter. We compared the HWCVD-grown lms with the lm exposed to an inductively coupled plasma system for modication of the seed layer. The W-wire lament temperature was maintained below 1600 C to avoid metal contamination by thermal evaporation of the lament. The deposition conditions were varied, including the H2 dilution ratio, with and without a plasma treatment. From the Raman analysis, we observed that the lm crystallinity was strongly in uenced by the H2 dilution ratio and was weakly aected by the distance between the wire and the substrate. We were able to achieve a crystalline volume fraction of about 70 % with a SiH4/H2 ratio of 1.3 %, a wire temperature of 1514 C, a substrate distance of 4 cm, and a chamber pressure of 38 mTorr. We investigated the in uence of a c-Si seed layer by using plasma treatment. This article also deals with the in uence of the H2 dilution ratio in crystallinity modication.
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2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.47 | 0.15 | 0.31 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.26 | 0.2 | 0.26 | 0.03 |
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