광전자분광법을 이용한 Pd - 실리사이드의 형성 연구

국문 초록 (Abstract)

Pd 금속을 9 Å보다 많은 양을 Si 표면에 증착한 경우에 형성되는 Pd-실리사이드는 순수한 Pd 금속이 쌓이기 전단계인 Pd 양이 많은 Pd₃Si 상이다. 또한, Si 표면에 Pd 금속을 1Å 이상을 증착 하였을 때 형성되는 Pd-실리사이드는 Pd₂Si 상이다. 그리고, Si 표면에 Pd 금속을 1Å보다 작은 양을 증착한 Pd 3d 내각준위의 분광을 보면, Pd의 증착 두께가 얇아질수록 Pd 3d 내각준위의 반높이에서 반너비(half width at half maximum: HWHM)의 크기가 넓어진다. 매우 작은 양의 Pd 금속을 Si 표면에 증착한 경우에 반너비가 넓어진 이유는 많은 연구자들이 찾아낸 Pd-실리사이드인 Pd₂Si 상외에 Si 양이 많은 새로운 Pd-실리사이드인 PdSi 상이 존재하는 것 때문이다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

If the thickness of Pd deposited is larger than 9 Å, its phase is Pd₃Si. This phase is followed by pure Pd phase with further deposition of Pd. Also, when the thickness of Pd deposited on top of Si(111) is larger than 1 Å, the phase of Pd-silicide formed is found to be Pd₂Si. The full width at half maximum of Pd 3d core-levels increases with decreasing of Pd film thickness at low coverages (≤0.5 Å). This is due to the formation of additional phase of Pd silicide, i.e. PdSi, in addition to Pd₂Si.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험방법
  
• 3. 실험결과와 분석
  
• 4. 결론
  
• 감사의 글
  
• 참고문헌