SCOPUS
KCI등재
ECR plasma 식각장치에서 CF4 에 의한 Si 의 식각반응에 관한 연구 = Study on the Etching Reaction of Silicon with Carbon Tetrafluoride in Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching System
저자
윤민희 ; 김종배 ; 남기석 ; 이상목 ; 박원일 ; 이기방 ( Min Hee Yun ; Chong Bae Kim ; Kee Suk Nahm ; Sang Mok Lee ; Won Il Park ; Kee Bang Lee )
발행기관
학술지명
Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK) (Korean Chemical Engineering Research)
권호사항
발행연도
1993
작성언어
-KDC
500
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
255-263(9쪽)
제공처
소장기관
The etching reaction of silicon with CF₄ was studied in a home-made ECR(electron cyclotron resonance) plasma etching system. Experimental data for the etch rates of p-Si(100) and n-Si(100) were measured and analyzed with varying etch time, etching pressure, CF₄ flow rate, the partial pressure of O₂ and etching temperature to investigate the characteristics of the etching system. The etch rates were almost the same for both p- and n-type Si(100) and increased with the increases in etching pressure and CF₄ flow rate, while the etch rate decreased because polymer film was formed on the Si surface at high pressure and reactive species were pumped away at high flow rate of CF₄. The etch rate became maximum when the amount of O₂ added to CF₄ was about 15% and showed uniformity. The etching profile showed anisotropic etching at low pressure and isotropic etching at high pressure.
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