ZnS 완충층을 사용한 SrS:Ce, Cl 박막 EL소자의 발광특성 = Luminescence Characteristics of SrS:Ce, Cl TFEL Devices with ZnS Buffer Layer
저자
최광호 (남서울대학교 교양학부)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2005
작성언어
Korean
주제어
KDC
051.000
자료형태
학술저널
수록면
589-600(12쪽)
제공처
소장기관
Luminescence characteristics of SrS:Ce,Cl TFEL devices with ZnS buffer and double insulating layers has been investigated. The density of transferred charge is gradually increased along with the Applied voltage up to 200V and that it is sharply increased along with the applied voltage above 200V. This phenomenon is thought to that the density within shallow trap is relatively low and that it within deep trap is high and distributed wide. The crystallinity of a SrS:Ce,Cl active layer is strongly affected by the underlayer. Bright blue emission is achieved in a thin film EL device having a strongly (111) oriented ZnS film as its underlayer.
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