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SCOPUS
InAs/GaAs 양자점 태양전지의 AlGaAs Barrier 효과 = Influence of an AlGaAs Barrier on an InAs/GaAs Quantum-Dot Solar Cell
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2017
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Korean
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KCI등재,SCOPUS
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학술저널
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307-311(5쪽)
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본 연구에서는 InAs/GaAs 양자점 태양전지(quantum dot solar cell, QDSC)에서 Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As 장벽층을 삽입하였을 때 장벽층에 의한 운반자의 수송 특성을 전류밀도-전압(J-V), 정전용량-전압(C-V) 그리고 역 전압 의존 광발광 (photoluminescence, PL)을 통해 조사하였다. 저온에서 (15 K) J-V와 C-V 측정 결과, 시료에 조사된 광의 파장이 860 nm일 때 역 전류와 접합 용량의 봉우리들(apexes)이 -0.2 V, -1.2 V 그리고 -2.6 V에서 관측되었다. 또한, 역 전압 의존 PL의 InAs 양자점 영역의 PL 세기가 -0.1 V와 -2 V에서 증가한 것을 확인하였다. 이와 같은 역전류, 접합 용량의 봉우리와 PL 특성은Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As 장벽층에서 운반자의 축적과 터널링에 의한 것으로 보인다. 양자점 준위에서 생성된 운반자의 축적과 터널링은 특정 인가 전압에서 Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As 장벽층에 의해 발생하였다.
더보기In this study, the effects of an Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As barrier on carrier transport in an InAs/GaAs quantum-dot solar cell (QDSC) were investigated by using current density - voltage (J-V) and capacitance - voltage (C-V) measurements and by using reverse bias dependence photoluminescence (PL). These measurements were performed with various wavelength at a low temperature (15 K). When the J-V and the C-V data were measured for 860 nm excitation, the curves show apexes at reverse bias voltages of -0.2 V, -1.2 V and 2.6 V. For the reverse-bias-dependent PL, the Integrated PL intensity of the emission from the InAs quantum dots (QDs) increased with decresing reverse bias from –0.1 V to –2 V. These results are expected and are due to the accumulation of carriers at the Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As barriers and to their tunneling through that. The accumulation and tunneling of carriers occur at the Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As barrier on the QDSC at specific reverse-bias voltages.
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
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2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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