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고집적 메모리에서 Word-Line과 Bit-Line에 민감한 고장을 위한 테스트 알고리즘 = A Test Algorithm for Word-Line and Bit-line Sensitive Faults in High-Density Memories
저자
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
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발행연도
2003
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
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수록면
74-84(11쪽)
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Conventional test algorithms do not effectively detect faults by word-line and bit-line coupling noise resulting from the increase of the density of memories. In this paper, the possibility of faults caused by word-line coupling noise is shown, and new fault model, WLSFs(Word-Line Sensitive Fault) is proposed. We also introduce the algorithm considering both word-line and bit-line coupling noise simultaneously. The algorithm increases probability of faults which means improved fault coverage and more effective test algorithm, compared to conventional ones. The proposed algorithm can also cover conventional basic faults which are stuck-at faults, transition faults and coupling faults within a five-cell physical neighborhood.
더보기기존의 테스트 알고리즘은 대부분 셀간의 고장에 중심이 맞추어져 있어 메모리의 집적도의 증가와 더불어 일어나는 word-line 과 bit-line 결합 잡음에 의한 고장을 효과적으로 테스트 할 수 없다. 본 논문에서는 word-line 결합 capacitance에 의한 고장의 가능성을 제시하고 새로운 고장 모델인 WLSFs(Word-Line Sensitive Faults)을 제안하였다. 또한 word-line 과 bit-line 결합 잡음을 동시에 고려한 알고리즘을 제시하여 고장의 확률을 높였고 고장의 원인을 기존의 고장 모델로는 되지 않음을 보여준다. 제안된 알고리즘은 기존의 기본적인 고장인 고착고장, 천이고장, 그리고 결합고장을 5개의 이웃셀 내에서 모두 검출할 수 있음을 보여준다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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