AlGaAs/GaAs계 VSIS 레이저 다이오드의 종방향 특성해석을 위한 Simulation = Simulation of the AlGaAs/GaAs V-Grooved-Substrate-Inner-Stripe Structured High Power-Laser Diode
저자
김득영 (동국대학교 반도체과학과)
발행기관
학술지명
산업기술논문집(Journal of the Industrial Technology Research Institute)
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
KDC
500.000
자료형태
학술저널
수록면
1-14(14쪽)
제공처
소장기관
GaAs계 정보처리용 고출력 반도체 레이저 다이오드의 소자설계를 위한 시뮬레이션을 수행하였다. 본 연구에 이용된 레이저 다이오드의 구조는 굴절률 도파형의 V-grooved substrate inner stripe 구조이며, 광출력, 활성층의 두께 및 광도파층의 두께 등을 변수로 설정하였다. 시뮬레이션은 이들 변수에 의한 유효굴절률, 소광계수, 이득분포 및 필드패턴 등의 특성을 레이저 다이오드 구조에서의 종방향 거리에 따라 분석하는 방법으로 수행하였다. 도파층과 활성층의 두께가 일정할 때 광출력이 높아질수록 중심에서의 유효굴절률은 높아지고 소광계수는 낮아짐을 알 수 있었다. 근시야상의 세기는 광출력, 활성층의 두께 및 도파층의 두께 변화에 따라 중심에서의 값이 다르게 나타났으나 원시야상의 세기는 이들 조건에 무관하게 중심에서는 일정한 값으로 나타났다.
In this work, the index guided type of AlGaAs/GaAs laser diode was simulated for device modeling. The V-grooved substrate inner stripe structure was used as a modeling structure. The output power, thickness of active layer, and thickness of guided layer were varied as a simulation parameters. The equivalent refractive index, extinction coefficient and field patterns are simulated as a function of lateral distance using these simulation parameters. Under constant thickness of active layer and guided layer, equivalent index is increase and extinction coefficient is decrease for high output power. The intensities of near field pattern are different at center with variation of parameters,
howerver the intensities of far field pattern are same having a no connection with simulation parameters.
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)