가속제에 의한 전기도금 구리박막의 물성 변화 = Characteristics of electroplated Cu film by accelerator
저자
강성규(Sung-kyu Kang) ; 나사균(Sa-Kyun Rha) ; 서정혜(Jung-Hye Seo) ; 이연승(Youn-Seoung Lee)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2009
작성언어
Korean
주제어
자료형태
학술저널
수록면
2-6(5쪽)
제공처
전기도금을 이용하여 구리 박막을 성장 시킬 때, 가속제가 미치는 영향에 대하여 조사 하였다. 구리 seed layer 위에 전착된 구리박막에 대해, 4-탐침법으로 표면저항을 측정하였고, 전착률 및 두께는 FE-SEM을 이용하여 측정하였다. 표면 거칠기는 AFM을 이용하여 측정하였다. 형성된 구리 박막의 불순물 유무는 XPS를 이용하여 측정 하였다. 전해용액(CuSO₄ㆍ5H₂O 40 g/ℓ, H₂SO₄10 g/ℓ , HCI 50 ppm), 유기 첨가제(억제제 2.5㎖/ℓ, 평탄제 2 ㎖/ℓ고정 하였을 때, 가속제의 첨가량이 증가할수록 전착률이 증가하였고 표면 거칠기는 감소하였다. 가속제의 첨가량이 6 ㎖/ℓ 일 때, 전착막의 비저항 값이 가장 낮았다.
더보기We investigated the effects of an accelerator on the growth of Cu films by electrochemical plating. Cu thin film were deposited by electroplating process over Cu seed layer. The sheet resistance was measured with a four-point probe. The deposition rate and thickness was measured by a FE-SEM. the surface roughness was measured by AFM. The impurity presence of the Cu thin film was measured by XPS. The plating electrolyte(CuSO₄ㆍ5H₂O 40 g/ℓ, H₂SO 10 g/ℓ , HCI 50 ppm) and organic additives (suppressor; 2.5 ㎖/ℓ , leveler; 2 ㎖/ℓ) were fixed. According to increase of accelerator, the deposition rate increased and the surface roughness decreased. The resistivity was the lowest when accelerator of 6 ㎖/ℓ is added
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