KCI등재
전자빔 증발법에 의한 박막형 고온초전도체의 $CeO_2$ 버퍼층 증착 연구 = Research for Deposition of $CeO_2$ Buffer Layer on Coated Conductor by Electron Beam Evaporation
저자
이종범 (한국산업기술대학교) ; 박신근 (한국산업기술대학교) ; 김혜진 (한국산업기술대학교) ; 문승현 ((주)서남) ; 이희균 (한국산업기술대학교) ; 홍계원 (한국산업기술대학교) ; Lee, J.B. ; Park, S.K. ; Kim, H.J. ; Moon, S.H. ; Lee, H.G. ; Hong, G.W.
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2010
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
123-127(5쪽)
제공처
The properties of buffer layer for thermal and chemical stability in coated conductor is a very important issue. $CeO_2$ has desirable thermal and chemical stability as well as good lattice match. In this study, $CeO_2$ was deposited by electron beam deposition. The MgO(001) single crystal and LMO buffered IBAD substrate(LMO/IBAD-MgO/$Y_2O_3/Al_2O_3$/Hastelloy) were used as substrates, which have $\Delta\phi$ values of ${\sim}8.9^{\circ}$. The epitaxial $CeO_2$ films was deposited with high deposition rate of $12{\sim}16\;{\AA}/sec$. During deposition, the change of oxygen partial pressure(${\rho}O_2$) does not cause change in c-axis texture. In case of $CeO_2$ on MgO single crystal, the substrate temperature was optimized at $750^{\circ}C$ with superior $\Delta\phi$ and $\Delta\omega$ value. Otherwise, In case of LMO buffered IBAD substrate, It was optimized at $650^{\circ}C$ with increasing its deposition thickness of $CeO_2$, which was finally obtained with best $\Delta\phi$ value of $5.5^{\circ}$, $\Delta\omega$ value of $2^{\circ}$ and Ra value of 2.2 nm.
더보기서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)