ZnIn₂Se₄박막의 광전도도 특성 = Photoconductivity of ZnIn₂Se₄Thin Films

국문 초록 (Abstract)

ZnIn₂Se₄박막을 flash evaporation 방법을 이용하여 만들었다. ZnIn₂Se₄박막은 격자상수가 a=5.17Å과 c=11.40Å인 diamond-like structure를 가지고 있었다. 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 ZnIn₂Se₄박막의 direct energy gap은 300K에서 1.82eV로 주어졌다. 300-1800nm의 파장영역에서 측정한 ZnIn₂Se₄박막의 광전도도 스펙트럼은 1.19 eV, 1.42 eV 및 0.92 eV에 위치한 3개의 photoresponse band를 보여 주었으며, 이들 band의 mechanism을 비교, 논의하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

ZnIn₂Se₄thin films were made by the flash evaportion method. ZnIn₂Se₄thin films have diamond-like sturcture with lattice constants a=5.17Å and c=11.40Å. The direct energy gap of ZnIn₂Se₄thin films determined by the optical absorption is 1.82eV at 300K. The photoconductivity of ZnIn₂Se₄thin films measured in the wavelength range 300-1800nm has shown three photoresponse bands at 1.91eV, 1.42eV and 0.92eV, and their mechanism were discussed in comparison with the other data.