KCI등재
SCOPUS
전기증착에 의해 n-Si(111) 기판 위에 성장시킨 Ni 박막 형성운동학 = Growth Kinetics of Ni thin films electrodeposited on n-Si(111)
저자
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2007
작성언어
-등재정보
KCI등재,SCOPUS
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
216-222(7쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
Nanocrystalline Ni films were grown directly on n-Si(111) substrates
without any buffer layer by using pulsed electrodeposition in a
non-aqueous NiCl$_2$ + methanol solution. The structure of the
energy band of the Ni$^{2+}$/n-Si(111) interface in a 0.1-M NiCl$_2$
electrolyte was investigated by using the cyclic voltammogram (CV)
and the Mott-Schottky (MS) relation. The CV results indicated that
the Ni$^{2+}$/n-Si(111) interface showed a good diode behavior by
forming a Schottky barrier. From the CV and the MS relation, the
flatband potential of the n-Si(111) substrate and the equilibrium
redox potential of Ni$^{2+}$ ions were -0.508 V and -0.294 V,
respectively. We confirmed that the average size of the Ni
nanoparticles obtained by using pulsed electrodeposition depended on
the frequency of the applied potential pulse. When the frequency was
varied from 20 Hz to 900 Hz, the average size of the Ni
nanoparticles varied in the range from 48 nm to 130 nm. The
nucleation and growth kinetics during the initial stages of
Ni$^{2+}$/n-Si(111) interface formation, as studied by using current
transients, were indicative of an 3-dimensional, instantaneous
nucleation, followed by a diffusion-limited growth mode.
나노결정립으로 이뤄진 Ni 박막을 NiCl$_2$+메탄올로 이뤄진 비수용액
전해질 내에서 펄스-전기증착 (pulsed-electrodeposition)을 이용하여
n-Si(111) 기판 위에 직접 성장시켰다. 0.1 M NiCl$_2$ 전해질 용액
내에서 Ni$^{2+}$/n-Si(111) 계면에 대한 에너지 밴드 특성을 조사한
결과, Ni$^{2+}$/n-Si(111) 계면은 쇼트키 장벽의 형성에 따른 다이오드
특성을 보인다는 사실을 알 수 있었다. 또한 CV (cyclic voltammogram)와
MS (Mott-Schottky) 관계식으로부터 n-Si(111) 기판의 평탄대역전위
(flat band potential)와 Ni$^{2+}$이온의 평형산화환원전위
(equilibrium redox potential)는 각각 -0.508 V와 -0.294 V로
평가되었다. Ni을 증착하기 위하여 인가한 펄스전압의 주파수가 증가할
경우 Si 기판 위에 증착된 Ni 나노결정립들의 크기도 선형적으로
증가하였으며, 20 Hz$\sim$900 Hz의 주파수 범위에서 나노입자들의
크기는 48 nm에서 130 nm로 증가하였다. 초기 증착단계에서
Ni$^{2+}$이온/Si 계면반응을 통한 Ni 박막의 성장모드를 증착시간에
따른 환원전류의 과도특성으로부터 조사하였으며, 이 결과로부터 모든
주파수 영역에서 Ni 박막은 ``3-dimensional instantaneous nucleation
followed by diffusion limited growth mode''를 통해 초기 핵형성이
진행됨을 알 수 있었다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)