KCI등재
반도체가 첨가된 유리의 암색화에 따른 포화흡수 변화와 영구 회절격자의 회절효율 연구 = The Absorption Saturation and Diffraction Efficiency of the Permanent Gratings Due to the Photodarkening in Semiconductor Doped Glasses
저자
백성현 ; 신상훈 ; 김상천 ; 최문구 ; 박승한 ; 김웅 ; Baek, Sung-Hyun ; Shin, Sang-Hoon ; Kim, Sang-Cheon ; Choi, Moon-Goo ; Park, seung-Han ; Kim, Ung
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1995
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
331-336(6쪽)
제공처
소장기관
미세 반도체가 첨가된 유리에 암색화에 따른 정상상태 포화흡수 변화를 조사하였고 축퇴 4광파 혼합 실험으로 영구 회절격자를 형성시켜 회절 효율을 연구하였다. 사용된 레이저는 Q-switch된 Nd:YAG레이저의 제2조화파로 펼스폭은 15ns이었다. 시료가 암색화된에 따라 포화 흡수세기 $I_s$는 증가하였고, 축퇴 4광파 혼합 실험 장치로부터 전방 펌프빔과 조사빔에 의한 큰 간격의 영구 회절격자를 형성하여 후방 펌프빔의 세기에 따라 회절 되어 나오는 빛의 세기를 측정하였다. 영구 회절격자는 암색화 현상에 의한 것으로 회절효율은 회절 되는 후방 펌프빔의 세기가 크지 않을 때 그 세기에 비례하는데, 이는 암색화에 의해 형성된 회절격자 사이의 흡수 차이에 의한 것임을 알 수 있었다.
더보기The steady-state absorption saturation of the photodarkend SDG was investigated. The absorption saturation intensity was observed to increase for the photodarkened sample. The diffraction efficiency of the permanent grating due to photodarkening was also measured using the backward DFWM technique. For the low backward pump intensity, the diffraction efficiency was proportional to the intensity of the pump beam. The origin of increasing diffraction efficiency is attributed to the difference in absorption between the permanent gratings created by photodarkening. ening.
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