Low-temperature deposition of nanocrystalline Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> films by ion source-assisted magnetron sputtering
저자
Ding, Ji Cheng ; Zhang, Teng Fei ; Mane, Rajaram S. ; Kim, Kwang-Ho ; Kang, Myung Chang ; Zou, Chang Wei ; Wang, Qi Min
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
-주제어
자료형태
학술저널
수록면
284-290(7쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>In this paper, bipolar pulse reactive magnetron sputtering with ion source assisted deposition method has been utilized for the deposition of nanocrystalline alumina (Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>) films at the temperature of 300 °C onto silicon (111) wafers, and cemented carbide substrates. The influence of ion source power, i.e. 0, 1.0, 1.5 and 2.0 kW on the structure, morphology, compressive stress and mechanical properties of the Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> films were investigated. In absence of ion source power assistance, an amorphous Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> film was dominant at deposition temperature of 300 °C. With ion source assisted deposition, the crystalline γ-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> films were obtained at the same conditions, suggesting an importance of ion source power in crystallinity development of metal oxide films obtained from magnetron sputtering deposition method. Images of surface morphology clearly demonstrated the difference in granular sizes of film surfaces prepared with and without ion source powers. With increasing ion source power from 1.0 to 2.0 kW, the micro-hardness and compressive stress of the films were increased from 7 GPa to 13 GPa and 0.3 GPa to 1.1 GPa, respectively. Results revealed that the reactive magnetron sputtering with the ion source assisted deposition was a simple and effective way to prepare nanocrystalline γ-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> films at low temperature.</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> films were synthesized by Ar ion source-assisted bipolar pulsed sputtering technique. </LI> <LI> Nanocrystalline Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> films were obtained at relatively low deposition temperature (300 °C) and low bias voltage conditions. </LI> <LI> The orientation and microstructure of the films can be adjusted by altering the ion source power. </LI> <LI> The synthesis approach of crystalline Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> films in this study is promising for large-scale industrial applications. </LI> </UL> </P>
더보기분석정보
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)