KCI등재
인라인 마그네트론 스퍼티링에 의한 ITO/Ag/ITO 다층 구조 투명전극의 최적화에 관한 연구 = A Study on the Optimization of the ITO/Ag/ITO Multilayer Transparent Electrode by Using In-line Magnetron Sputtering
Indium tin oxide (ITO) thin films show a low sheet resistance and high transmittance in the visible rangeof the spectrum. Therefore, they play an important role as transparent electrodes for flat panel displays. However,their resistivity is rather high for use as a transparent electrode in large displays. One way to improve electrical andoptical properties in large displays is to use ITO/Ag/ITO multilayer films. ITO/Ag/ITO multilayer films have lowersheet resistance than single layer ITO films with the same thickness. Prior to the ITO/Ag/ITO multilayerexperiments, optimal condition for thickness change are necessary. Their thicknesses were deposited differently inorder to analyze electrical and optical properties. However, when optimal single film characteristics are applied toITO/Ag/ITO multilayer films, other phenomena appeared. After analyzing the electrical and optical properties bychanging ITO and Ag film thickness, ITO/Ag/ITO multilayer films were optimized. By combining ITO film at 586Å and Ag film at 10 nm, the ITO/Ag/ITO multilayer films showed optimized high optical transmittance of 87.65%,and the low sheet resistance of 5.5 Ω/sq.
더보기인듐 주석 산화물(ITO)은 낮은 면저항과 가시광선 영역에서 높은 투과율로 인해 투명전극의 재료로서 중요한 역할을 해오고 있다. 그러나 대형 디스플레이에서 ITO 투명전극의 면저항은 요구조건을 충족시키지 못한다. 이를 보완하기 위한 투명전극 중 하나는 ITO/Ag/ITO 다층막을 이용하는 것인데, ITO/Ag/ITO 다층막은 ITO 단일막과 같은 두께에서 더 낮은 면저항을 갖는다. ITO/Ag/ITO 다층막 실험에 앞서, ITO 단일막과 Ag 단일막의 두께에 따른 최적 조건이 필요했고 ITO 단일막과 Ag 단일막의 두께를 변화시켜가며 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. 그러나 단일막으로서 최적의 조건을 갖는 조건일지라도 다층막에 적용할 경우 다른 현상이 나타났다. 따라서, ITO/Ag/ITO 다층막에 대한 최적의 조건을 구하기 위해 ITO 층과 Ag 층의 두께 값을 다양하게 변화시켜 ITO/Ag/ITO 다층막의 두께 조건을 찾아내었다. 결과적으로, ITO 층의 두께가 586 Å 이고 Ag 층의 두께가 10nm일 때 ITO/Ag/ITO 다층막은 87.65 %의 높은 투과율과 5.5 Ω/□의 낮은 면저항으로 가장 최적의 결과를 나타내었다.
더보기분석정보
| 연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
|---|---|---|---|
| 2026 | 평가 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
| 2020-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
| 2017-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
| 2013-01-01 | 등재 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
| 2010-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2008-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2006-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
| 2004-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
| 2001-01-01 | 등재 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
| 1998-07-01 | 등재 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
| 기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
|---|---|---|---|
| 2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
| KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
| 0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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