KCI등재
SCI
SCIE
SCOPUS
Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates
저자
Min Yang (Korea Maritime Univ.) ; 안형수 (Korea Maritime Univ.) ; Masahito Yamaguchi (Japan) ; Nobuhiko Sawaki (Japan) ; Tomoyuki Tanikawa (Japan) ; Yoshio Honda (Japan)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2009
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
2363-2366(4쪽)
KCI 피인용횟수
2
제공처
The selective growth of semi-polar (11-22) GaN layers on patterned Si (311) substrates was performed by using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) without using a SiO2 mask to decrease the density of crystal defects that may be caused by the existence of the mask material. We found that even without using a SiO2 mask (11-22) GaN layers could be selectively grown on Si (111) facets when the mesa width of the patterned silicon substrates was smaller than 1 micrometer. Low temperature (7 K) cathodoluminescence (CL) measurement confirmed that the intensity of the emission peak arising from the crystal defect region was remarkably decreased by the use of a maskless selective growth method. Low-temperature CL measurements were also performed on InGaN multiple-quantum-well (MQW) structures grown on (11-22) GaN templates. From the CL spectra, we could observe that the InGaN MQW structure grown on a (11-22) GaN template, which was selectively grown without a SiO$_{2}$ mask, had fewer crystal defects than that grown on a (11-22) GaN template formed by using the conventional selective growth method.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
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2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.47 | 0.15 | 0.31 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.26 | 0.2 | 0.26 | 0.03 |
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