The time-variable characteristic of logic gate and IGBT device = The time-variable characteristic of logic gate and IGBT device
저자
여지환 (대구대학교 전자공학부)
발행기관
대구대학교 정보통신연구소(Computer & Communication Research Center, Daegu University)
학술지명
권호사항
발행연도
2008
작성언어
English
주제어
자료형태
학술저널
수록면
11-17(7쪽)
제공처
소장기관
This paper describes the result of simulation which calculated a gate propagation delay time of CMOS and describes the result of the transient characteristic of power device. When the reverse voltage is biased on the substrate ,for reducing the speed delay time ,a supply voltage has to reduce. Using the new drain current model and a propagation
delay time model equations, the operation speed of CMOS gate will predict the dependence on the load capacitance and the depth of oxide, threshold voltage, the supply voltage ,the channel length. We make the model of the transient characteristic of power device. Using the transient characteristic model, we can predict the power losses. The power losses obtained from the analytical model show good agreement
본 논문은 CMOS 게이트의 전달지연 시간을 새로운 전류모델 식을 이용하여 계산한 시뮬레이션 결과를 보여준 논문이며 또한 전력소자의 천이특성을 캐리어 수명으로 나타냈다. 역방향 전압이 기판 바이어스로 인가시 속도지연이 감소되며 잡음도 감소된다. 또한 공급전압도 감소된다. 새로운 전류모델 식의 타당성을 검토했다. IGBT 전력소자에 대해 시간에대해 전압변화율을 공간전하영역 폭변화에 의해 계산했다.
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