다공질규소 PL의 온도의존성 해석 = Analysis of Temperature Dependence of Photoluminescence of porous silicon

국문 초록 (Abstract)

본 연구에서는 다공질규소의 온도를 상온에서부터 10K까지 감소시키면서 PL스펙트럼을 측정하여 PL의 온도의존성을 관찰하였다. 그 결과를 Lee가 제안한 세 가지 발광원인에 대한 에너지띠구조 모형을 도입하여 해석하였다. 그 결과 다공질규소 PL의 온도의존성은 Lee가 제안한 세 가지 발광원인이 규소화합물에 의한 발광, 계면에서의 발광, 양자구속효과에 의한 발광이라고 할 때 만족하게 설명되었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In this research, we investigated temperature dependence of photoluminescence characteristics of porous silicon in temperature ranges from room temperature to 10K. the results, we analyzed it introduce electronic band structures suggest by Lee et al. It is about that three different luminescence origins. From results, we found that temperature dependence of porous silicon photoluminescence were explained properly when electronic band structure of three different luminescence origins is based on the chemical model and the interface region model and the quantum confinement model.