KCI등재
A Design of Double-tuned Voltage Control Oscillator using Reconfigurable Negative Inductance
저자
Ngoc Duc Au(오녹덕) ; Hyungseok Nam(남형석) ; Duy Ninh Dang(당두이닌) ; Seunghun Lee(이승훈) ; Minho Go(고민호) ; Chulhun Seo(서철헌) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
전자공학회논문지(Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers )
권호사항
발행연도
2020
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
18-23(6쪽)
제공처
소장기관
본 논문에서는 Non-Foster 이론을 이용한 재구성 가능한 음의 인덕턴스 회로 설계를 통해 이중 튜닝 범위를 갖는 전압 제어 발진기를 제안한다. 음의 군지연 네트워크와 유한 무부하 Q 음의 인덕터의 저항 분석을 통해 인덕턴스 회로의 음의 임피던스를 결정한다. 또한 두 개의 음의 군지연 단위 셀 중간에 있는 HJ FET의 바이어스 전압을 조정하여 발진 주파수 대역을 변경한다. 재구성 가능한 음의 인덕턴스 회로의 음의 인덕턴스 값을 튜닝하고 전압 제어 발진기의 피드백 루프에 있는 기존 LC탱크 공진기와 직렬로 연결한다. 제안된 구조를 이용한 시뮬레이션 결과는 1.567 ㎓∼2.169 ㎓, 2.022 ㎓∼2.797 ㎓의 이중 주파수 대역을 가지고 음의 인덕턴스 값은 각각 -5.4 nH와 -6.31 nH이다.
더보기By utilizing the non-Foster theory for reconfigurable negative inductance circuit (RNIC) design, a double-tuned frequency band of voltage control oscillator (VCO) is proposed in this paper. From the analysis between negative group delay network (NGD) and resistance of a finite unload Q negative inductors, the negative impedance of inductance circuit is determined. Furthermore, to switch oscillation frequency band, bias voltage of HJ FET in the middle of two NGD unit cells is adjusted to tune negative inductance value of RNIC, while it is placed in series with conventional LC tank resonator at the feedback loop of VCO. The simulated dual frequency ranges are from 1.567 to 2.169 ㎓, and from 2.022 to 2.797 ㎓ when negative inductance are -5.45 nH and -6.31 nH, respectively.
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