KCI등재
Two-Tone 입력을 이용한 RF 전력증폭기 메모리 특성의 신경망 모델링 = Neural Network Modeling of Memory Effects in RF Power Amplifier Using Two-tone Input Signals
저자
황보훈 (성균관대학교) ; 김원호 (성균관대학교) ; 나완수 (성균관대학교) ; 김병성 (성균관대학교) ; 박천석 (성균관대학교) ; 양영구 (성균관대학교) ; Hwangbo Hoon ; Kim Won-Ho ; Nah Wansoo ; Kim Byung-Sung ; Park Cheonsuk ; Yang Youngoo
발행기관
학술지명
한국전자파학회논문지(The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)
권호사항
발행연도
2005
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
1010-1019(10쪽)
KCI 피인용횟수
1
제공처
소장기관
본 논문에서는 투톤(two-tone) 신호가 입력된 RF 전력 증폭기의 출력단에서 관찰되는 메모리 효과를 신경망회로를 이용하여 모델링 하였다. 입력 신호의 톤 간격과 전력 레벨의 변화에 따른 출력 전력의 IMD(Inter-Modulation Distortion) 비대칭성을 측정하여 고출력 RF 전력 증폭기의 메모리 효과를 확인하였으며, 서로 다른 중심 주파수에서의 메모리 효과도 실험적으로 확인하였다. 투톤 입력 신호 테스트에 기초한 전력 증폭기의 모델링 방법으로 TDNN(Tapped Delay Line-Neural Network)방식을 적용하였으며 이 방식이 다른 여러 가지 모델링 방법과 비교하여 매우 신뢰할만한 정확성을 가짐을 보였다.
더보기In this paper, we used neural network technique to model memory effects of RF power amplifier which is fed by two-tone input signals. The memory effects in power amplifier were identified by observing the unsymmetrical distribution of IMD(Inter-Modulation Distortion) measurements with the change of tone spacings and power levels. Different asymmetries of IMD were also found at different center frequencies. We applied TDNN technique to model LDMOS power amplifier based on two tone IMD data, and the accuracy was very high compared to other modeling methods such as the(memoryless) adaptive modeling method.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2008-04-08 | 학술지명변경 | 외국어명 : The Journal Of The Korea Electromagnetic Engineering Society -> The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science | KCI등재 |
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2000-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.2 | 0.2 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.13 | 0.363 | 0.1 |
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