도핑에 의한 탄소 나노튜브의 구조변화에 대한 이론적 연구 = Theoretical studies on the structural deformation of boron-doped carbon nanotubes
저자
발행사항
서울 : 연세대학교 대학원, 2000
학위논문사항
학위논문(석사)-- 연세대학교 대학원 : 물리학과 2000.2
발행연도
2000
작성언어
영어
주제어
발행국(도시)
서울
형태사항
v, 35장 : 삽도 ; 26 cm
일반주기명
본문은 영문임
초록서명임
소장기관
It is experimentally shown that, when doping level is increased in carbon nanotubes, the system tends to form nanodomains of dopant islands rather than isolated substitutional species. Assuming that the boron doped tubes form ideal nanodomains of $BC_3$, we calculated the electronic structures of boron-doped carbon nanotubes via the tight binding method.Comparing the tunneling density of states thus obtained with the experimental data, we have shown that our result gives a nice agreement with the experiment. So the formation of nanodomains, for a reasonable amount of dopants, that is, above 5% or so, is indeed favorable for the doped carbon nanotubes.
더보기탄소 나노튜브에 도핑이 되면 그 양의 증가에 따라 형성되어지는 나노 구역 양자섬의 띠 구조를 실험의 결과가 예측하는 형태인 BC_3 구조로 가정하여 밀접 결합 어림법을 통해 계산하였다.실제의 구조가 예상된 결과와 같은지를 보기 위해 터널링 상태밀도를 띠 구조에서 나타나는 띠 사이 전이를 이용하여 계산하고 이를 실험에서의 결과와 일치함을 확인함으로써 탄소 나노튜브에 붕소가 도핑되는 경우 실제로 기존의 반도체에서의 도핑과는 달리 도핑된 영역의 구조가 변화하여 다른 형태의 구조를 가지게 됨을 보였다.
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