기존의 산화물 전극인 RuO₂의 문제점인 BST와의 구조적 불일치를 perovskite 구조를 갖는 CSR전극의 적용을 통해 해결하고 더 나아가 BST와 조성적인 일치까지 이룰 수 있는 BSR이라는 새로운 전극물질을 이용하여 그에 따른 전기적 특성변화를 고찰하였다.
CSR박막의 격자상수는 Ca, Sr의 양을 조절함으로써 3.83-3.94Å까지 변화시킬 수 있으며 BST와 완벽한 격자 정합을 이룰 수 있었다. 그리고 이러한 구조적 특성의 장점은 계면영역에서의 비정질 층의 감소 뿐만 아니라 결정성의 향상으로 나타났다.
BSR전극위에 증착된 BST는 거의 epitaxial하게 성막됨을 HREM를 통해 관찰하였으며 이러한 현상은 self-graded interface에 의해 가능한 것으로 생각되어진다. 이러한 BSR 전극위에 증착된 BST는 유전상수 500 이상, 누설전류 8×10(-8)A/㎠이하 값을 나타내었다.
또한 누설전류는 구조적인 면에서 많은 영향을 받고 유전상수는 박막의 화학적, 조성적인 면에 많은 영향을 받음이 관찰되었다.
The electrical properties of BST thin films on the structurally identical CSR electrode and on the chemically and structurally similar BSR electrode were investigated in relation with the interfaces. Lattice parameter of CSR films can be varied by controlling the Ca/Sr ratios from 3.83 to 3.94Å, so that the perfect lattice match with BST films can be obtained. Such structural match of CSR film with dielectric film resulted in improved crystallinity of interfacial layer, and the significant reduction of the undesirable layer in the interface region as a result. Further improvement in interfacial structure was achieved for the BST thin film on BSR electrode and was confirmed by HREM. It is thought that epitaxial growth of BST/BSR structure is associated with the self-graded interface. BST thin films deposited on (Ba0.51Sr0.49) RuO₃ electrode exhibited high dielectric constant(>500) and low leakage current density(<8×10(-8)A/cm₂). It turned out that the dielectric constant of BST thin films was more dependent on the chemical composition of the BSR and the leakage current was pore influenced by the structural campatibility with the electrodes.
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