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Fabrication of micropatterned ferroelectric gamma poly(vinylidene fluoride) film for non-volatile polymer memory
저자
Kang, Seok Ju ; Bae, Insung ; Choi, Ji-Hyuk ; Park, Youn Jung ; Jo, Pil Sung ; Kim, Yuna ; Kim, Kap Jin ; Myoung, Jae-Min ; Kim, Eunkyoung ; Park, Cheolmin
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2011
작성언어
-등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
3619-3624(6쪽)
제공처
소장기관
<P>We describe a facile and robust method for fabricating ferroelectric γ-type poly(vinylidene fluoride) (PVDF) thin films useful for non-volatile polymer memory. Our method is based on heating and cooling rate-independent melt-recrystallization of a thin PVDF film confined under a surface-energy-controlled top layer that strictly forbids paraelectric α crystals. Thin and uniform PVDF films with ferroelectric γ crystals consisting of characteristic twisted lamellae are formed with versatile top layers including metals, oxides, and even polymers. Micropatterns of ferroelectric γ PVDF domains isolated by paraelectric α domains are readily developed when pre-patterned top layers are employed. Our ferroelectric films are conveniently incorporated into arrays of either capacitor or transistor-type non-volatile memory units. Arrays of ferroelectric transistors with vacuum deposited pentacene channels are fabricated with micropatterned γ PVDF films. Furthermore, arrays of bottom-gate ferroelectric transistor memories are demonstrated, in which our ferroelectric PVDF film is directly micropatterned during crystallization under the patterned poly(3-hexyl thiophene) active channels.</P> <P>Graphic Abstract</P><P>Non-volatile ferroelectric memory transistors with pentacene channels are demonstrated with ferroelectric gamma PVDF micropatterns isolated by paraelectric α domains <I>via</I> melt-recrystallization of a thin PVDF film confined under a surface-energy-controlled top layer.
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</P>
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