KCI우수등재
SCOPUS
Trimethyl - indium 소스 고갈에 따른 InGaAsP 에피층의 특성 변화
저자
김현수(Hyun Soo Kim) ; 오대곤(Dae Kon Oh) ; 편광의(Kwang Eui Pyun) ; 최인훈(In Hoon Choi)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
400-405(6쪽)
제공처
소장기관
유기금속 소스의 농도를 연속적으로 in-situ 측정이 가능한 EPISON ultrasonic monitor를 이용하여 TMIn(trimethly-indium)의 소스 고갈이 InGaAs, InGaAsP bulk 에피층과 1.55 ㎛ InGaAs/InGaAsP SMQW(strained multi-quantum well)에 미치는 영향을 조사하였다. TMIn 소스는 사용량이 80%에서 급격하게 소스 고갈 현상을 보였다. TMIn 소스는 사용량이 80%에서 급격하게 소스 고갈 현상을 보였다. TMIn 소스 고갈에 의한 에피층의 특성 변화를 조사한 결과, bulk 에피층의 경우에는 소스가 고갈 되기전에 성장한 에피층과 비교하여 DCXRD(double crystal X-ray diffractometry) spectrum에서 피크 분리가 약 300 arcsec정도 Ga-rich 방향으로 이동하였으며 relative FWHM은 약 2배 가량 증가하는 것을 보였다. SMQW 구조에서는 bulk 에피층과는 달리, PL 중심파장에서도 약 40 ㎚ 정도 단파장쪽으로 이동하였으며, 피크 분리는 약 300 arcsec정도 Ga-rich 방향으로 이동하였다. 하지만, EPISON의 closed loop 기능을 사용할 경우에는 TMIn 소스 사용량이 95%에서도 피크 분리가 ±100 arcsec이내의 재현성 있는 에피층 성장이 가능하다는 것을 알 수 있었다.
더보기We investigated the effect of TMIn (trimethly-indium) source depletion on InGaAs, InGaAsP and 1.55 ㎛ InGaAs/InGaAsP SMQW by using EPISON ultrasonic monitor for measuring the concentration of metalorganiclcarrier gas mixtures. And the problems for the growth reproducibility in MOCVD was solved by using an EPISON ultrasonic monitor with closed-loop mode under the condition of TMIn source depletion. The saturation pressure of TMIn was dramatically decreased over consumption of 80%. In the case of bulk epilayer, Up-shifting of 300 arcsec to Ga-rich direction and FWHM broadening by a factor of two in DCXRD spectrum were observed due to the TMIn source depletion. In the case of SMQW, Up-shifting of 300 arcsec to Ga-rich direction in DCXRD spectrum and blue-shift of 40 ㎚ in PL spectrum were observed due to the TMIn source depletion. However, good reproducibility(△θ<±100 arcsec) was achieved even the condition of 95% of TMIn consumption, when we used the EPISON with closed-loop mode.
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