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Reactive Magnetron Sputtering 적용 CuNx-Cu-CuNx 적층형 Metal Mesh 터치센서 전극 특성 연구 = A Study on the Metal Mesh for CuNx-Cu-CuNx Multi-layer Touch Electrode by Reactive Magnetron Sputtering
저자
이성의 (한국산업기술대학교) ; 김현석 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ; 양성주 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ; 노경재 (한국산업기술대학교 신소재공학과) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2016
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
414-423(10쪽)
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0
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본 연구는 DC magnetron sputtering 장비를 사용하여 Ar 및 N2 gas의 분압비로 Cu 금속을 Reactive sputtering 공정을 통해 CuNx-Cu-CuNx 층을 In-situ 방법으로 일괄적으로 생성시킴으로써 공정상의 이점을 기대함과 동시에 외부 빛으로부터의 표면 반사율 감소 효과를 얻고자 하였다. CuNx layer 형성 시 gas 분압, DC Power, 증착 시간을 변수로 두고 두께 및 조성비에 따른 투과·반사율을 측정하였다. 즉 Ar:N2 gas ratio는 10:10(sccm), DC power 0.35 A, Deposition time 90 sec의 최적 조건을 도출 하였다. 또한 최적 두께 및 조성비에 따른 반사율을 측정하여 34%의 표면 반사율과 0.467의 △Ra 표면 Roughness 증가 값을 도출하였다. 투과·반사율로서 약 2.2 eV 정도의 CuNx band-gap energy를 도출하였으며, 가시광 영역의 파장대 빛을 최대한 흡수할 수 있는 두께 및 공정 조건을 확보 하였다. 이를 기반으로 Cu 금속을 사용하여 5 inch Metal mesh TSP(L/S:4/270 ㎛) 기준 모듈 구동 범위인 1.2 ㏀대의 선저항을 구현하였다.
더보기In the present study, the CuNx-Cu-CuNx layer the partial pressure ratio Cu metal of Ar and N2 gas using a DC magnetron sputtering device, was generated by the In-situ method. CuNx layer was able to obtain a surface reflectance reduction effect from the advantages of the process and the external light. CuNx layer is gas partial pressure, DC the Power, the deposition time variable transmittance in response to the thickness and partial pressure ratio, the reflectance was measured. Ar:N2 gas ratio 10:10(sccm), DC power 0.35 A, was derived Deposition time 90 sec optimum conditions. Thus, according to the optimal thickness and the composition ratio was derived surface reflectance of 20.75%. In addition, to derive the value of △ Ra surface roughness of 0.467. It was derived CuNx band-gap energy of about 2.2 eV. Thus, to ensure a thickness and process conditions can be absorbed to maximize the light in a wavelength band in the visible light region. As a result, the implementation of the 1.2 ㏀ base line resistance of using the Cu metal. This is, 5 inch Metal mesh TSP(L/S: 4/270 ㎛) is in the range of the reference operation.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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