삼불화질소의 플라즈마 반응성 이온 식각 특성 연구
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학술지명
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발행연도
2021
작성언어
Korean
주제어
KDC
420
자료형태
학술저널
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수록면
116-116(1쪽)
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오늘날, 삼불화질소(NF<SUB>3</SUB>)는 반도체 제조 분야 등의 세정 공정 과정 중 반응성 가스로 사용된다. 이러한 챔버 세정 공정의 경우 NF<SUB>3</SUB>가 챔버 내로 직접 주입된 후 플라즈마를 방전하여 챔버 내부에 증착된 부산물을 제거한다.
본 연구에서는 실리콘(Si)에 용량 결합형 플라즈마 반응성 이온 식각을 수행하며 잔류 가스 분석기(RGA)와 발광 분광 분석법(OES)을 이용해 공정을 모니터링하였다. 동일한 압력에서 RF 전력이 상승함에 따라 SiF<SUB>3</SUB><sup>+</sup>의 양 및 Si의 식각 속도는 증가하였지만, 불소 원자선은 감소하였다. 동일한 RF 전력에서 압력이 높아지면 불소 원자선의 강도, SiF<SUB>3</SUB><sup>+</sup>의 양 및 Si의 식각 속도 모두 증가하였다.
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